[发明专利]集成电路中的电感及制作方法无效
申请号: | 200810044069.9 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101752226A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 陈华伦;罗啸;熊涛;陈瑜;陈雄斌 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/768;H01L21/82 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 中的 电感 制作方法 | ||
1.一种集成电路中电感的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在介质层上淀积一层金属;
2)采用光刻工艺定义出电感的图形;
3)进行金属层刻蚀,去除光刻胶,形成金属线圈;
4)接着淀积介质层,并在介质层上形成通孔;
5)填充通孔的填充金属;
6)重复步骤1)至步骤5)以增加电感的层数,直到形成最后一层金属线圈。
2.根据权利要求1所述的集成电路中电感的制作方法,其特征在于,步骤1)中在介质层上淀积的金属为铝。
3.根据权利要求1所述的集成电路中电感的制作方法,其特征在于,步骤5)中通孔的填充金属为钨。
4.根据权利要求1所述的集成电路中电感的制作方法,其特征在于,步骤2)中的电感图形由版图确定。
5.根据权利要求1所述的集成电路中电感的制作方法,其特征在于,在步骤1)之前先淀积一层蚀刻阻挡层,在步骤6)完成电感的制作之后,还包括以下步骤:
7)在最后一层金属线圈上淀积一层介质层;
8)采用光刻工艺定义磁芯通孔;
9)刻蚀磁芯通孔直至蚀刻阻挡层,并去除光刻胶;
10)填充磁芯的金属,形成集成电路电感中的磁芯。
6.根据权利要求5所述的集成电路中电感的制作方法,其特征在于,在集成电路电感金属线圈中的不同位置重复步骤8)至步骤10),形成集成电路电感金属线圈中多个并行的磁芯。
7.根据权利要求5所述的集成电路中电感的制作方法,其特征在于,步骤10)中填充磁芯的金属为钴。
8.根据权利要求5所述的集成电路中电感的制作方法,其特征在于,步骤8)中的磁芯通孔由版图确定。
9.一种集成电路中的电感,其特征在于,包含多层相互平行的金属线圈,相邻金属线圈通过连接接触孔相连接。
10.根据权利要求9所述的集成电路中的电感,其特征在于,金属线圈中包括一个或多个磁芯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造