[发明专利]互连电阻测量结构及方法

权利要求书

1.一种互连电阻测量结构，其特征在于，包括：

主测量结构，包括通孔、两条弯折互连线及至少两个电阻测量端，所述两条弯折互连线位于不同金属层，并通过至少一个通孔连接；其中

所述弯折互连线弯折出至少两个凸起，所述凸起的形状为缺少一边的矩形，各个凸起的间距等于各凸起缺乏对边的边的长度；

第一辅助测量结构，由一条弯折互连线及至少两个电阻测量端构成，并与主测量结构的两条弯折互连线中的一条弯折互连线位于同一个金属层；以及

第二辅助测量结构，由一条弯折互连线及至少两个电阻测量端构成，并与主测量结构的所述两条弯折互连线中的另一条弯折互连线位于同一个金属层；其中

主测量结构中各条互连线未与通孔连接的线端，各自分布有至少一个电阻测量端；第一及第二辅助测量结构中各条互连线的线端，各自分布有至少一个电阻测量端；以及

主测量结构、第一辅助测量结构及第二辅助测量结构中各弯折互连线的宽度及材质相同，且第一及第二辅助测量结构的弯折互连线分别与各自所处金属层中所述主测量结构弯折互连线的长度相等。

2.如权利要求1所述的测量结构，其特征在于，第一辅助测量结构弯折互连线的各个凸起与位于同层的，主测量结构弯折互连线的相应各凸起的凸起方向相同，且处于同一直线。

3.如权利要求1所述的测量结构，其特征在于，第二辅助测量结构弯折互连线的各个凸起与位于同层的，主测量结构弯折互连线的相应各凸起的凸起方向相同，且处于同一直线。

4.如权利要求1所述的测量结构，其特征在于，主测量结构、第一辅助测量结构及第二辅助测量结构中各弯折互连线的长度均相等。

5.一种采用权利要求1所述的互连电阻测量结构来测量互连电阻的方法，其特征在于，包括：

制作多个所述互连电阻测量结构于集成电路中，其中各个互连电阻测量结构中主测量结构的通孔数目不同；

基于电阻测量点，分别测量出所述各个互连电阻测量结构中，主测量结构及各辅助测量结构的电阻值；

根据各互连电阻测量结构中，主测量结构的电阻值等于各辅助测量结构的电阻值、主测量结构中通孔的电阻值以及通孔与弯折互连线的接触电阻值之和的关系，计算出所述通孔电阻值及接触电阻值。

6.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

在弯折互连线长度保持不变的情况下，在预定范围内调整弯折互连线宽度及密度，所述弯折互连线密度等于弯折互连线宽度除以所述宽度与弯折互连线凸起间距之和；

测量出调整的弯折互连线宽度及密度对应的各个电阻；

计算出在所述宽度及密度调整时，各个电阻对应的改变量；

根据所述预定范围与影响各个电阻值变动的因素的对应关系，及所述电阻改变量，衡量所述因素对所述电阻的影响。

7.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对应关系为：

在所述宽度为80纳米至120纳米，且所述密度大于零并小于等于0.5时，对应因素为光刻效应；

在所述宽度为250纳米至400纳米，且所述密度大于零并小于等于0.5时，对应因素为化学机械研磨工艺的凹陷效应；

在所述宽度160纳米至200纳米宽度范围内，且所述密度大于等于0.5并小于等于0.9时，对应因素为化学机械研磨工艺的侵蚀效应。