[发明专利]超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池

权利要求书

1、一种石墨片作衬底的碲化镉薄膜太阳电池结构：石墨片衬底的厚度为50～500微米，结构是石墨片/p-CdTe/n-CdS/TCO/Al，其特征是首先在石墨片上沉积一层铜，然后进行热处理，再沉积一层碲，然后以此进行了处理的石墨片作为衬底依次沉积碲化镉薄膜、硫化镉薄膜、透明导电氧化物薄膜、栅状铝电极，得到碲化镉太阳电池。

2、如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池的结构，其特征是在石墨片上沉积的铜层厚度为50～200纳米。

3、如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池的结构，其特征是沉积了铜层的石墨片的热处理条件为：200～300℃，20～40分钟。

4、如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池的结构，其特征是在进行了热处理的石墨片上沉积的碲层厚度为20～100纳米。