[发明专利]一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构无效
| 申请号： | 200810044717.0 | 申请日： | 2008-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101299443A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 雷智;张静全;冯良桓;李卫;黎兵;武莉莉;蔡亚平 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/045 | 分类号： | H01L31/045;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 碲化镉 薄膜 太阳电池 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种柔性碲化镉薄膜太阳电池的制造方法，包括：
采用涂覆方法在石墨烯表面涂掺杂石墨膏；
采用溅射方法在掺杂石墨膏表面沉积碲化镉薄膜；
将薄膜放入CdCl2溶液中2分钟；
把碲化镉薄膜放入退火炉中进行惰性气体保护退火；
在退火后的碲化镉薄膜表面溅射沉积CdS薄膜；
在CdS薄膜表面溅射沉积ITO；
在ITO表面和石墨烯表面引出电极线，构成柔性碲化镉薄膜太阳电池。
2.如权利要求1所述的柔性碲化镉薄膜太阳电池的制造方法，其特征是：太阳电池背电极是石墨烯层。
3.如权利要求1所述的柔性碲化镉薄膜太阳电池的制造方法，其特征是：先制备碲化镉薄膜，再制备CdS薄膜，之后制备ITO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
