[发明专利]一种DLC红外抗反射保护膜及其制备方法

权利要求书

1.一种DLC红外抗反射保护膜，所述DLC红外抗反射保护膜成膜于ZnSe的入射面或者入射面和出射面上，以降低入射光线的反射光量，其特征在于，在ZnSe的表面上依次沉积高折射率的DLC薄膜和低折射率的DLC薄膜。在ZnSe基材(1)上沉积第一层高折射率的薄膜(2)，该膜层的折射率n₁为1.8-2.5，厚度d₁用下式表示：d₁＝0.25λ/n₁；并且在第一层薄膜(2)上再沉积第二层低折射率的薄膜(3)，这层薄膜的折射率n₂至少比第一层薄膜的折射率n₁小0.1，其厚度d₂用下式表示：d₂＝0.25λ/n₂，其中上述λ为该红外抗反射保护膜的抗反射的中心波长。

2.根据权利要求1所述的DLC红外抗反射保护膜，其基材是ZnSe，也可以是Ge，ZnS红外透明材料。抛光了的基材在沉积前进行清洗预处理，在乙醇中超声波清洗10分钟，去离子水反复冲洗后吹干。放入真空室后，基体再次进行清除表面污染的处理。可以采用离子束溅射方法，条件如下：离子束能量为～1ke V，束流密度为0.1mA/cm²，时间为1～2分钟；也可以采用反溅方法，条件如下：向真空室内通入氩气，使真空室压强变为0.8Pa左右，在基板上加负偏压-700V，反溅射3～4分钟。

3.根据权利要求1所述的DLC红外抗反射保护膜，其制备方法是采用非平衡磁控溅射法，包括非平衡射频磁控溅射法，非平衡中频磁控溅射法。射频电源频率为13.56MHz，中频电源频率为40KHz。

4.根据权利要求1所述DLC红外抗反射保护膜的制备方法，是以石墨为靶源，其放电气体可以是甲烷和氩的混合气体、乙炔和氩的混合气体、丁烷和氩的混合气体或纯氩气。

5.根据权利要求1所述红外抗反射保护膜的制备方法，沉积时的真空度在0.1Pa-2Pa之间，基体温度为25℃～150℃，中频电流为50mA～400mA，基体偏压为0V～-400V，进气分压比[CH₄/(CH₄+Ar)]为1/6～5/6，通过控制中频功率、偏压和进气分压比例参数，获得每层薄膜所需要的折射率；通过控制沉积时间，获得所需要折射率薄膜的厚度。

6.根据权利要求4所述DLC红外抗反射保护膜的制备方法，制备最外层的DLC膜采用的辅助气体为甲烷或丁烷为宜。