[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1、一种有机薄膜晶体管，包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极，结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种，其特征在于，所述源电极和漏电极均与有机半导体层之间设置载流子注入层。

2、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述载流子注入层是由金属氧化物中的一种或多种构成的超薄层。

3、根据权利要求1或2所述有机薄膜晶体管，其特征在于，所述载流子注入层厚度为0.1nm～20nm。

4、根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物构成的超薄层是多种金属氧化物的混合掺杂或者多种氧化物的层状堆叠及其重复结构。

5、根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化金、氧化银、氧化铝、氧化镍、氧化锰、氧化钼、氧化钨、氧化铬和氧化锌。

6、根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物是采用相同与构成源电极和漏电极的金属的氧化物或者不同于源电极和漏电极金属的氧化物。

7、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，源电极和漏电极分别相接的载流子注入层是采用相同金属氧化物注入层材料或者是不同金属氧化物注入层材料。

8、有机薄膜晶体管，其特征在于，所述漏电极和源电极为金属或者导电薄膜。

9、一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①先对基板进行彻底的清洗，清洗后干燥；

②在基板的表面制备栅电极；

③通过光刻的方法刻蚀栅电极的图形；

④在栅电极的上面制备绝缘层；

⑤对制备的绝缘层进行处理；

⑥然后在绝缘层上制备源电极，漏电极；

⑦通过光刻形成源电极，漏电极图案；

⑧对已形成栅电极，源电极，漏电极以及已覆盖有机绝缘薄膜的基板制备载流子注入层和有机半导体层；

其中载流子注入层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、分子束外延或者液相外延生长技术、电镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂、LB膜中的一种或者几种方式而形成。