[发明专利]电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法

权利要求书

1、一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×10^-3Pa，基片温度控制在室温～450℃，调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小，控制束流值在100mA～180mA，沉积时间为5min～120min；

所述碳化硼膜料通过下述方法制备：

原料是纯度至少为99.9％的硼粉和纯度至少为99.99％的碳粉，碳粉与硼粉的摩尔比为1∶2.5～6.5；将碳粉和硼粉球磨混合均匀，然后在真空烧结炉中烧结，真空度不低于0.1Pa，以5℃～30℃/分钟的升温速率从室温升温到1600℃～1900℃，保温时间至少为1小时，保温后以5℃～20℃/分钟的降温速率降到室温，得到不同硼、碳化学计量比的碳化硼粉料；将碳化硼粉料压结成片状体，再将所述片状体于150MPa～250MPa等静压致密化后在真空烧结炉中烧结，真空度不低于0.1Pa，以15℃～25℃/分钟的升温速率从室温升温到1400℃-1600℃，保温时间至少为0.5小时，保温后以15℃～25℃/分钟的降温速率降到室温，得到密度至少为2.1g/cm³的块状碳化硼膜料。

2、根据权利要求1所述的制备碳化硼薄膜的方法，其特征在于所述基片为硅基片或载玻片。

3、根据权利要求1或2所述的制备碳化硼薄膜的方法，其特征在于所述基片温度控制在250℃～450℃。

4、根据权利要求1或2所述的制备碳化硼薄膜的方法，其特征在于碳粉与硼粉的粒度至少过60目筛。

5、根据权利要求3所述的制备碳化硼薄膜的方法，其特征在于碳粉与硼粉的粒度至少过60目筛。