[发明专利]一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810045618.4 | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101338412A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 冷永祥;黄楠;孙鸿;杨苹;王进;陈俊英;吴燕萍 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应力 氮化 多层 硬质 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法，采用非平衡磁控溅射设备进行，其具体作法是：
A、清洗将工件放置于非平衡磁控溅射设备的真空室的样品台上，关闭真空室，真空抽至3.0×10-3Pa后，通入氩气，对工件进行氩等离子溅射清洗；
B、沉积铬过渡层打开铬靶溅射电源，在工件表面沉积50～150nm厚的铬过渡层，然后关闭铬靶溅射电源；
C、沉积多层氮化铬薄膜真空室中通入纯度为99.99％以上，压强为0.65×10-1Pa～5×10-1Pa的氩气；同时在真空室中通入纯度为99.99％以上，压强为0.65×10-1Pa～5×10-1Pa的氮气作为反应气体；在工件上加-150～-4000V的负偏压，打开铬靶溅射电源，沉积出厚度为35nm～500nm的一层压应力的氮化铬薄膜；然后，在工件上加0～-100V的负偏压，再次打开铬靶溅射电源，再沉积出厚度为100nm～500nm的一层拉应力的氮化铬薄膜。
2、如权利要求1所述的一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法，其特征在于：所述的C步沉积多层氮化铬薄膜的操作，重复2～40次，包括第一次。
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