[发明专利]一种双交换偏置场型自旋阀无效
| 申请号： | 200810045689.4 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101471420A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;张怀武;苏桦;钟智勇;荆玉兰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/32;G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 交换 偏置 自旋 | ||
1、一种双交换偏置场型自旋阀，包括双交换偏置场型自旋阀结构，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构由基片/缓冲层/反铁磁层AFM1/铁磁层F1/隔离层/铁磁层F2/反铁磁层AFM2/覆盖层构成；其中，反铁磁AFM1/铁磁层F1之间由于铁磁层同反铁磁层的交换耦合作用，产生一沿膜面的交换偏置场Hex1；反铁磁AFM2/铁磁层F2之间由于铁磁层同反铁磁层的交换耦合作用，也产生一沿膜面的交换偏置场Hex2；但交换偏置场Hex1、Hex2的方向正好相反。
2、根据权利要求1所述的双交换偏置场型自旋阀，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构的基片为Si基片或玻璃基片。
3、根据权利要求1所述的双交换偏置场型自旋阀，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构的缓冲层材料为Ta。
4、根据权利要求1所述的双交换偏置场型自旋阀，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构的反铁磁层AFM1和反铁磁层AFM2材料采用FeMn、NiMn、IrMn、PtMn或NiO。
5、根据权利要求1所述的双交换偏置场型自旋阀，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构的铁磁层F1和铁磁层F2材料采用Ni、Fe、Co或Ni/Fe/Co的合金。
6、根据权利要求1所述的双交换偏置场型自旋阀，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构的隔离层材料为Cu。
7、根据权利要求1所述的双交换偏置场型自旋阀，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构的覆盖层材料为Ta。
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