[发明专利]近空间升华法制备大面积化合物半导体源无效
| 申请号： | 200810045790.X | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101649442A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 冯良桓;黎兵;蔡伟;蔡亚萍 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610207*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空间 升华 法制 大面积 化合物 半导体 | ||
【权利要求书】：
1、一种制备大面积化合物半导体薄膜及其源的设备，其特征是利用近空间升华法，以石墨块或其它高温下不易变形的材料，如不锈钢板材作为源片载体，包括：
加热管放入真空罩中，使用内置加热；
装备了经抛光的不锈钢反光板；
设计了上石墨升降及水冷一体化装置；
装备了冷阱，进行尾气处理。
2、如权利要求1所述的设备，其特征是加热管放入真空罩中，改用内置加热，对上下石墨加热更彻底。
3、如权利要求1所述的设备，其特征是在上石墨的上面和下石墨的下面，分别放置抛光的不锈钢反光板，使得边缘与中心的石墨温度尽量一致；同时，长方体真空罩的内壁作了抛光处理，水平的四面内壁上又加挂了四片不锈钢反光板；另外，在石墨上多钻了边缘热偶测温点，便于检测温场分布。
4、如权利要求1所述的设备，其特征是设计了上石墨升降及水冷一体化装置，可以在真空罩外面实现上下间距的连续调节。
5、如权利要求1所述的设备，其特征是加装了冷阱，能进行有效的尾气处理。
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