[发明专利]大功率晶体管无效
申请号: | 200810045942.6 | 申请日: | 2008-08-29 |
公开(公告)号: | CN101661919A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 宋泓志;王敏 | 申请(专利权)人: | 四川大雁微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/367 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 晶体管 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体元件,具体地说涉及一种大功率晶体管。
背景技术
晶体管是一种重要的电器元件,广泛应用于电视机、音响设备等各类家电和电子仪器设备、电子光源等领域。目前,半导体器件晶体管的核心部件引线框架的材料采用KFC,KFC是一种含铁2-5%的铜材料,具有优良的导电导热性能,与晶片的热应力配合性能好。但KFC的价格昂贵,以TO-126封装产品为例,引线框架的厚度为5mm,所以产品成本高,在实际使用过程中受该封装外形限制,对散热要求不高,在少数功率较大的应用下,可以通过加装散热片实现热量耗散,所以对引线框架的厚度要求较低,用得过厚,浪费原材料,增加成本;另外,常用的框架引脚的长度达到15-16mm,既浪费材料,而且由于产品在印刷电路板PCB上基本都是直插到最深处,过长的框架引脚作为废品在焊接后切除,不仅增加了加工步骤,而且多余的引脚在包装运输过程中容易变形,造成后续工装的不便。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,在保证产品正常运行的前提下,提供一种成本低、功率大、工作可靠、体积小的晶体管。
本发明的目的通过下列技术方案实现:
一种大功率晶体管,包括塑封体、晶片、引线框架、引线和引脚,所述引线框架的上部自生一块散热片,下部自生一个集电极引脚,集电极引脚的两边间隔地设置发射极引脚和基极引脚,引线框架的厚度为0.38-0.42mm,引脚的长度为6-8mm。
所述的引线框架的厚度为4mm,引脚的长度为6.45mm,其材料为KFC;所述引线是金丝或铜丝。
发明大功率晶体管与现有技术相比较有如下有益效果:
1、由于引线框架的厚度从5mm减少为4mm,引脚的长度由15.78mm减少为6-8mm,节省引线框架材料30%,降低了产品成本,减少了产品的体积,提高了产品竞争力;
2、由于引线框架面积减小,使制作引线框架的模具表面积相应减少,有助于在比较低的合模压力下工作,延长了模具的寿命;
3、产品在多数波峰焊过程中,不需要先剪切管脚,减少了加工程序,提高了工作效率,在包装和运输过程中,产品不易变形。
附图说明
图1是本发明大功率晶体管的结构示意图;
图2为图1的左视图。
图中标记为:1-塑封体、2-散热块、3-晶片、4-焊接层、5-引线框架、6-引线、7-发射极引脚、8-集电极引脚、9-基极引脚。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述:
由图1和图2所知,本发明包括塑封体1、晶片3、引线框架5、引线6。所述引线框架5的上部自生散热块2,下部自生集电极引脚8,发射极引脚7和基极引脚9间隔地设置在集电极引脚8的两边,用焊接层4将晶片3固定在引线框架5上,发射极引脚7和基极引脚9通过引线6与晶片3相连,引线6可由金丝或铜丝制成,用塑封体1将上述结构封装,就制成了大功率晶体管。引线框架5上的集电极8与发射极引脚7和基极引脚9的长度D相同,参见图1,D为6-8mm,最优为6.45mm,引线框架5和引脚7、8、9的材料均采用KFC,以保证产品的导热导电性能好和引线框架5与晶片3的热应力配合性能好,参见图2,引线框架5和引脚7、8、9的厚度K相同,K值为0.38-0.42mm,最优为0.4mm,由于采用了散热块2,散热效率高,所以引线框架5减薄也不会影响产品正常运行。
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