[发明专利]高透光导电膜系

权利要求书

1.一种高透光导电膜系，在透明基材的一表面依次沉积由高折射率无机介 质膜、低折射率无机介质膜依次交错排列形成的至少两层无机介质膜的无机介质 膜层及位于该无机介质膜层最外层的透明导电膜层，其特征在于透明导电膜层的 厚度为满足方块电阻需要的厚度8～60nm，至少两层的由高折射率无机介质膜和 低折射率无机介质膜构成的无机介质膜层和透明导电膜层都采用真空磁控溅射 的方法沉积，从而形成在380nm～780nm光波长范围内整体透过率达到85％以 上的高透光导电膜系，高折射率无机介质膜厚度在10至80nm、折射率大于2.25， 低折射率无机介质膜厚度在20至150nm、折射率小于1.55，透明导电膜层的折 射率1.7至2.0。

2.如权利要求1所述的高透光导电膜系，其特征在于透明基材为玻璃板或 树脂板。

3.如权利要求1所述的高透光导电膜系，其特征在于透明基材为柔性树脂 膜。

4.如权利要求1所述的高透光导电膜系，其特征在于高折射率无机介质膜 是氧化钛或者氧化铌。

5.如权利要求1～4之一所述的高透光导电膜系，其特征在于至少两层的 由高折射率和低折射率透光介质构成的无机介质膜层和透明导电膜层的杨氏模 量大于15GPa。

6.如权利要求1～4之一所述的高透光导电膜系，其特征在于透明导电膜层 是氧化铟、氧化锡、氧化锌、掺杂了铟的氧化锡、掺杂了锑的氧化锡、掺铝的氧 化锌中的至少一种组成的膜层。

7.如权利要求1～4之一所述的高透光导电膜系，其特征在于当透明基材 的折射率为n1，高折射率的无机介质膜折射率为n2、低折射率的无机介质膜折 射率为n3、透明导电膜层的折射率为n4时，满足n2＞n1、或n2＞n3、或n4＞n1、 或n4＞n3。

8.如权利要求1～4之一所述的高透光导电膜系，其特征在于在透明基材的 另一表面沉积至少两层以TiO₂/SiO₂为单层结构形成的增透减反射膜层。

9.如权利要求1～4之一所述的高透光导电膜系，其特征在于在透明基材的 另一表面沉积至少两层以Nb₂O₅/SiO₂为单层结构形成的增透减反射膜层。

10.如权利要求8所述的高透光导电膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面沉积的增透减反射膜层最外层，利用低温等离子体技术沉积有一层防划伤、防 污的有机硅薄膜。

11.如权利要求8所述的高透光导电膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面与增透减反射膜层之间有一层与透明基材牢固覆合的有机增硬涂层。

12.如权利要求9所述的高透光导电膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面沉积的增透减反射膜层最外层，利用低温等离子体技术沉积有一层防划伤、防 污的有机硅薄膜。

13.如权利要求9所述的高透光导电膜系，其特征在于在透明基材的另一表 面与增透减反射膜层之间有一层与透明基材牢固覆合的有机增硬涂层。