[发明专利]高速平面雪崩光电二极管无效

申请号：	200810047210.0	申请日：	2008-04-01
公开（公告）号：	CN101271935A	公开（公告）日：	2008-09-24
发明（设计）人：	岳爱文	申请（专利权）人：	武汉电信器件有限公司
主分类号：	H01L31/107	分类号：	H01L31/107
代理公司：	武汉宇晨专利事务所	代理人：	黄瑞棠
地址：	430074湖北***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	高速平面雪崩光电二极管
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【权利要求书】：

1、一种高速平面雪崩光电二极管，其特征在于：

在n-InP衬底(2)上依次生长n-InP缓冲层(3)、n型分布反馈反射层(4)、i-InGaAs层(5)、n-InGaAsP渐变层(6)、n-InP电场控制层(7)、i-InP窗口层(8)、i型InGaAs接触层(9)；i-InP窗口层(8)中通过两次Zn扩散形成一个p型中心区(11)和p型环行区(12)；扩散后在窗口层(8)中形成雪崩倍增区(14)；窗口层(8)上覆盖抗反射介质层(10)；i型InGaAs接触层(9)上为环型的p金属层(13)，APD背面为n金属层(1)。

2、根据权利要求1所述的一种高速平面雪崩光电二极管，其特征在于n型分布反馈反射层(4)：

可以是AlGaInAs/InP DBR，还可以是InGaAsP/InP DBR、AlGaInAs/AlInAs DBR或InGaAsP/AlInAs DBR，DBR反射谱的中心波长可以是(1310±10)nm或(1550±10)nm。

3、根据权利要求1所述的一种高速平面雪崩光电二极管，其特征在于i-InGaAs层(5)：

可以是非掺杂的本怔InP，也可以是载流子浓度低于5e15cm^-3的n-InGaAs；厚度为0.8μm～1.3μm，

4、根据权利要求1所述的一种高速平面雪崩光电二极管，其特征在于n-InP电场控制层(7)：

载流子浓度为2e17cm^-3～6e17cm^-3，厚度为0.05μm～0.2μm，积分电荷为3.2e12cm^-2～3.5e12cm^-2。

5、根据权利要求1所述的一种高速平面雪崩光电二极管，其特征在于雪崩倍增区(14)：

厚度小于0.3μm。

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