[发明专利]单晶培养方法无效
| 申请号： | 200810047899.7 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101319349A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 袁良杰;陈硕平;李明;相江峰;武思民 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人： | 刘荣 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 培养 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶培养方法，其特征在于包括以下步骤：首先将反应物置于离心管中，接着将离心管管口密封，然后将密封的离心管于水沸点下某一温度下恒温培养即可制得所需的单晶。
2.根据权利要求1所述单晶培养方法，其特征在于：将装有反应物的密封离心管于60～90℃恒温培养即可制得所需的单晶。
3.根据权利要求1或2所述单晶培养方法，其特征在于：装有反应物的密封离心管于60～90℃恒温培养数天至一个月，直至反应物充分形成化合物单晶。
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