[发明专利]一种改善金属－P型半导体欧姆接触性能的方法

权利要求书

1.一种改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法，其步骤包括：

(1)按照下述过程在半导体器件P型半导体上形成一层带有设计图形的纳米碳管薄膜；

(1.1)按下述过程合成和提纯纳米碳管：首先在Si片上用电子束蒸发方法依次制备SiO₂和Co薄膜，SiO₂的厚度为20-2000nm，Co膜的厚度小于0.5-5nm，CVD温度为550-800℃，酒精为50-200Sccm，反应时间1-60min.；然后采用盐酸溶液与制备所得纳米碳管初产物充分反应，再经过过滤、干燥后去除催化剂，并采用高锰酸钾和硝酸去除石墨微粒、无定形碳和其它形式的碳纳米颗粒；

(1.2)在半导体器件顶层P型半导体上制备纳米碳管薄膜，该纳米碳管薄膜的厚度为30nm-1000nm，其制备过程为：

(a)选择纯化的纳米碳管，加入去离子水经充分搅拌、超声、离心后，倒入到Br溶液中；

(b)再次离心后，将含有纳米碳管的Br溶液用吸管滴到滤网膜上，然后用水冲洗去除Br溶液；

(c)施加压力使滤网膜上的纳米碳管薄膜与P型半导体充分接触；

(d)对纳米碳管薄膜进行干燥，之后用丙酮清洗，再重复用去离子水冲洗，最后用甲醇清洗；

(e)放在通有惰性气体温度为100-600℃的烧结炉中退火；

(1.3)首先在上述纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再在介质膜上沉积一层光刻胶；然后在光刻胶上定义所设计的图形，曝光、显影、清洗和坚膜后，以光刻胶作为掩蔽刻蚀介质膜；利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜，刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料；

(2)在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金作打线之用。

2.根据权利要求1所述的改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法，其特征在于：步骤(1.1)中，SiO₂的厚度为50-200nm，Co膜的厚度为0.5-2nm，CVD温度为650-750℃。

3.根据权利要求1或2所述的改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法，其特征在于：步骤(1.2)中，纳米碳管薄膜的厚度为50-200nm。