[发明专利]具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结构介电薄膜，其特征是，该介电薄膜由CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层与 CaTiO₃膜层按不同排列方式堆垛构成，薄膜厚度为100nm～2μm，排列方式为非 周期性重复排列或者周期单元周期性重复排列，所述的CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层与 CaTiO₃膜层的层数比为2∶1。

2.如权利要求1所述的一种异质结构介电薄膜，其特征是，所述的非周期性 重复排列异质结构介电薄膜是：CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层上加CaTiO₃膜层；或者， CaTiO₃膜层上加CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层。

3.如权利要求1所述的一种异质结构介电薄膜，其特征是，所述的周期单元 周期性重复排列异质结构介电薄膜是：两层CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层上加一层CaTiO₃膜层，并以这三层膜为周期单元重复至所需厚度构成的异质结构介电薄膜；或者 是，一层CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层上，加一层CaTiO₃膜层，再加一层CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层，并以这三层膜为周期单元重复至所需厚度构成的异质结构介电薄膜；或者 是，一层CaTiO₃膜层上，加两层CaMg_1/3Nb_2/3O₃膜层，并以这三层膜为周期单元 重复至所需厚度构成的异质结构介电薄膜。

4.权利要求1所述的异质结构介电薄膜的制备方法，其特征是，在 Pt/Ti/SiO₂/Si基板上，采用液相旋涂技术先将一种膜层的前驱体液涂敷于旋转的 洁净基板上，120℃干燥处理，随后在700℃下进行结晶化处理3～5分钟，根据 排列方式的需要，再涂覆同种膜层或另一种膜层前驱体溶液，120℃干燥处理， 随后在700℃下进行结晶化处理3～5分钟，根据涂敷次数比和排列要求重复以上 操作多次后，最后在700℃进行0.5小时热处理，即获得具有异质结构的介电薄 膜。