[发明专利]一种去除有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法无效

专利信息
申请号: 200810048456.X 申请日: 2008-07-18
公开(公告)号: CN101318973A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 戴百雄;吴勇;宫廷;徐善武;刘勇;王少培;温志鹏;张建广;苏禾;吴正保;张兴;张勇 申请(专利权)人: 湖北犇星化工有限责任公司
主分类号: C07F7/22 分类号: C07F7/22;B01D1/22
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 王守仁
地址: 441300湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 去除 有机 稳定剂 生产过程 中低沸物 方法
【权利要求书】:

1.一种去除有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法,其特征是将有机锡稳定剂粗品在真空条件下经过预热器加热至90~110℃,再通入刮板式薄膜蒸发器中蒸发,并形成0.1~0.3mm的瀑布膜,此时,刮板式薄膜蒸发器应保持处于110-135℃的温度和真空条件下,然后将从刮板式薄膜蒸发器流出的物料通过氮气脱臭塔后冷却。

2.根据权利1所述的去除有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法,其特征在于:所述有机锡粗品采用通式为RnSnX4-n的有机锡粗品,其中,R代表烷基或酯基,X代表低沸物,n=1~4。

3.根据权利2所述的去除有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法,其特征在于:所述烷基为具有1~18个碳原子的直链或支链的烷基,所述酯基为直链或支链的酯基。

4.根据权利1所述的去除有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法,其特征在于:所述低沸物为水,以及月桂酸系化合物或马来酸系化合物或硫醇酯系化合物或马来酸酯系化合物。

5.根据权利1所述的有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法,其特征在于:所述真空条件是指至少为0.09MPa的真空度。

6.根据权利1所述的有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法,其特征在于:在所述通入刮板式薄膜蒸发器中蒸发时,蒸发时间为10~30秒。

7.根据权利1所述的有机锡稳定剂生产过程中低沸物的方法,其特征在于:所述刮板式薄膜蒸发器的加热面积为5~7m2

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