[发明专利]一种半导体纳米晶及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体纳米晶的制备方法，其特征在于先将CdTe或ZnSe纳米晶溶于反 应溶剂中，以十二烷基硫醇为稳定剂，然后与汞盐、镉盐或铜盐溶于有机溶剂 的溶液充分作用，保持温度为20-100℃，即得A_XB_1-XC半导体纳米晶，0＜x＜1， 其中A为Cd或Zn：A为Cd时，B为Hg，C为Te；A为Zn时，B为Cd或Cu，C 为Se；加入的汞、镉或铜与CdTe或ZnSe的物质的量比为0.1-2∶1，稳定剂加 入的体积量为纳米晶物质的量的5-10倍；汞盐、镉盐或铜盐溶于有机溶剂的 溶液浓度为纳米晶在反应溶剂中浓度的20-100倍；所述有机溶剂为甲醇、乙 醇或异丙醇，所述反应溶剂为苯、甲苯、乙苯、二甲苯、正己烷或氯仿。

2.如权利要求1所述的半导体纳米晶的制备方法，其特征在于所述的汞盐为高 氯酸汞、硝酸汞、醋酸汞或硫酸汞。

3.如权利要求1所述的半导体纳米晶的制备方法，其特征在于所述的镉盐为硝 酸镉、醋酸镉、硫酸镉、氯化镉或磷酸镉。

4.如权利要求1所述的半导体纳米晶的制备方法，其特征在于所述的铜盐为硝 酸铜、氯化铜或硫酸铜。