[发明专利]一种辐射探测芯片

权利要求书

1、一种辐射探测芯片，包括辐射吸收材料，加热丝；其特征在于还包括衬底，热敏电阻；所述的衬底选用高热导率、高绝缘性、低热容的材料；辐射吸收材料、热敏电阻及加热丝分别接触固定于衬底的表面。

2、根据权利要求1所述的辐射探测芯片，其特征在于所述的衬底为具有一定厚度的长方形片，辐射吸收材料接触固定于衬底上表面的中间部分，两个热敏电阻分别接触固定于衬底上表面辐射吸收材料的两侧；热敏电阻上表面通过导电粘接材料与上电极引线相连接，下表面通过导电粘接材料与下电极引线及衬底的上表面相连接；加热丝接触固定于衬底下表面的中间部分，两个加热丝压点分别接触固定于衬底下表面加热丝的两侧；加热丝压点上表面与加热丝引线相连接，下表面与衬底的下表面相接触，端面分别与加热丝的一端相连接。

3、根据权利要求2所述的辐射探测芯片，其特征在于所述的衬底为金刚石片，其厚度为0.05-5mm。

4、根据权利要求3所述的辐射探测芯片，其特征在于所述的辐射吸收材料选用碳纳米管、黑色掺硼金刚石、高石墨相金刚石、碳吸收黑或镍磷合金吸收黑材料；辐射吸收材料厚度为10nm-2mm。

5、根据权利要求3所述的辐射探测芯片，其特征在于加热丝材料选用康铜或锰铜。