[发明专利]一种通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法

权利要求书

1、通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法，其步骤如下：

(1)铝片的预处理

将纯度为99～99.999％、厚度为0.2～1.0mm的铝片，在300～400℃氮气环境中退火3～4h；然后用丙酮除去表面油污，使用0.5～0.8M NaOH稀溶液去除表面氧化膜；再采用体积比为1∶4～5的H₄ClO₄和无水乙醇的混合溶液为抛光液，在温度0～10℃、直流电压为16～18V的条件下电解抛光50s～3min；经预处理后的铝片用蒸馏水冲洗后，干燥备用；

(2)阳极氧化

将上面步骤获得的铝片在0.8～1.2M硫酸的冰浴电解液中，15V～20V氧化电压条件下，进行一次阳极氧化，氧化时间为4～8h，用蒸馏水冲洗铝片表面后放入50～60℃的0.5～0.6M磷酸和0.15～0.18M铬酸的混合溶液中浸泡1～3h，以除去一次氧化膜，然后按照第一次阳极氧化条件进行二次氧化，得到多孔氧化铝膜；

(3)氧化铝模板的处理

于上述冰浴电解液中，对多孔氧化铝膜再施加一个比氧化电压小2～3V的电压，每隔10～15min降一次电压，每次降2～5V，直到电压降到7～8V为止，即通过减薄阻挡层制备得到多孔氧化铝。

2、如权利要求1所述的通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法，其特征在于：步骤(2)的阳极氧化电压为20V。

3、如权利要求2所述的通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法，其特征在于：步骤(3)是对多孔氧化铝膜施加18V电压氧化10min，以后每隔15min降5V电压，直到电压降到8V为止。

4、如权利要求2所述的通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法，其特征在于：步骤(3)是对多孔氧化铝膜施加17V电压氧化10min，以后每隔10min降3V电压，直到电压降到8V为止。

5、如权利要求2所述的通过减薄阻挡层制备多孔氧化铝的方法，其特征在于：步骤(3)是对多孔氧化铝膜施加18V电压氧化15min，以后每隔10min降2V电压，直到电压降到8V为止。