[发明专利]一种半导体激光器腔面钝化方法

权利要求书

1.一种半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)半导体激光器在空气中解理成条后，装入镀膜专用夹具，然后放入电子束蒸发真空室或磁控溅射真空室；

(2)氢离子预清洗，即在电子束蒸发真空室内或磁控溅射真空室内分别用不小于105ev或不小于50瓦的氢等离子体轰击解理的腔面，除去解理腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和界面态这些非辐射复合中心的同时，氢离子会与解理腔面的表面一定尺度内的电负性最大的元素反应，生成电负性大的元素的氢化物，氢化物从解理的腔面溢出，导致腔面处呈现带有正电荷的阳离子特征；在半导体激光器前腔面(4)进行所述的氢离子预清洗时间为50秒到10分钟；

(3)氮离子反应清洗，即在上述电子束蒸发真空室内或磁控溅射真空室内关闭氢源，开通氮源，分别用不小于105ev或不小于50瓦的氮等离子体轰击解理腔面，使电负性较大的氮离子与激光器的解理腔面由氢离子轰击导致呈现阳离子特征的材料元素结合，生成一定薄层由腔内到腔外一定尺度含氮量渐变的含氮层，氮离子反应清洗时间为2分钟到20分钟，所述反应清洗时间视所需含氮渐变层厚度而定；

(4)在前腔面(4)用电子束蒸发的方式蒸镀或磁控溅射的方式溅射AlN宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)，防止解理腔面外氧等物质向腔面内的扩散；

(5)在前腔面(4)镀增透膜(1)；

(6)夹具翻面后对后腔面(5)进行工艺处理，即在所述后腔面(5)进行上述步骤(2)和(3)；

(7)氮气氛围下，在后腔面(5)用电子束蒸发的方式蒸镀或磁控溅射的方式溅射AlN宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)；

(8)在后腔面(5)镀高反膜(2)。