[发明专利]制备太阳盲紫外探测器的方法无效
申请号: | 200810051098.8 | 申请日: | 2008-08-21 |
公开(公告)号: | CN101345272A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 鞠振刚;张吉英;单崇新;申德振;姚斌;赵东旭;张振中;李炳辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人: | 赵炳仁 |
地址: | 130033吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 太阳 紫外 探测器 方法 | ||
1.一种制备太阳盲紫外探测器的方法,包括以下步骤:采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备氧锌镁膜层,在该氧锌镁膜层上再蒸镀Au膜层,用湿法刻蚀Au膜层制备出叉指形电极,其特征在于,所述的氧锌镁膜层是在以下工艺条件下获得的具有单一立方相的、其吸收边从220nm到260nm的MgZnO薄膜:
生长温度为300℃~500℃,生长室真空度为2×104Pa,载气为99.9999%高纯氮气,以二茂镁作为镁源,二乙基锌作为锌源,通过流量控制使生长室中的Zn、Mg摩尔浓度比为Zn/Mg=0.4~1,氧气压力为2.5×105Pa、流量为550ml/min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的