[发明专利]原位一步法制备疏水性纳米硼酸铜晶须无效
| 申请号： | 200810051115.8 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101343774A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 田玉美;郑云辉;刘艳华;赵旭;丁雪峰;郭玉鹏;王子忱 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/22;C30B29/62;C01B35/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原位 一步法 制备 疏水 纳米 硼酸 铜晶须 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备疏水型硼酸铜晶须的新方法，其步骤为：将一定体积0.1～1.0mol/l硼砂溶液置于反应器中，加入占硼砂1～4％的阴离子表面活性剂，搅拌均匀后，按投料比再加入浓度为1～2mol/l的铜盐，搅拌升温至50～95℃，恒温搅拌反应晶化5～12h，经过滤、洗涤、脱水、60～120℃下干燥处理，得到直径为200～500nm、长度为10～100μm，长径比为20～500的纳米硼酸铜晶须粉体，其接触角为100～140度。
2.如权利1中所述的一种制备疏水型硼酸铜晶须的新方法，其特征在于：所述的阴离子表面活性剂可以是油酸、硬脂酸、磷酸酯、十二烷基苯磺酸以及相应盐中的一种。
3.如权利1中所述的一种制备疏水型硼酸铜晶须的新方法，其特征在于：铜盐可以是硫酸铜、氯化铜、硝酸铜中的一种。
4.如权利1中所述的一种制备疏水型硼酸铜晶须的新方法，其特征在于：硼和铜离子的摩尔比为1∶2～4。
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