[发明专利]定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810051180.0 申请日: 2008-09-17
公开(公告)号: CN101348936A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 郑伟涛;亓钧雷;胡超权;王欣 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B29/02;C23C16/00;C01B31/02;B22F1/02;B82B3/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人: 朱世林
地址: 130012吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 定向 排列 纳米 碳包覆钴 颗粒 复合物 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合物,其特征在于所述的碳纳米管定向垂直于硅基底,碳包覆钴纳米颗粒依附于定向排列碳纳米管的顶部表面,所述的碳纳米管是多壁碳纳米管,长度在2-4μm,直径在8-14nm,碳包覆钴纳米颗粒的直径在70-200nm,其中钴颗粒为单晶钴。

2.一种用于权利要求1所述的定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合物的制备方法,包括以下步骤:

(1)采用射频磁控溅射法,以Co为靶源,Ar作为放电气体,在Si基底上沉积Co薄膜,直流溅射电流为0.1A,直流溅射电压为280V,Ar气流量为60.2sccm,工作压强为0.5Pa,沉积时间为60s;

(2)将步骤(1)获得的Co薄膜放入等离子体增强化学气相沉积设备,抽真空至5Pa,通入O2流量为2sccm,工作压强为20Pa,开始升温40分钟升温到800度,形成很小的氧化钴纳米颗粒;

(3)当温度到达800度之后,停止通入O2,然后通入工作气体H2+CH4,工作压强为1300Pa,沉积系统射频电源频率为13.56MHz,射频功率为200W,沉积时间为30分钟;

(4)沉积时间结束后,关闭射频电源和加热电源,停止通入CH4气体,用H2为保护气体,H2流量为20sccm,工作压强为200Pa,冷却到室温,这样就得到了定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合材料。

3.如权利要求2所述的定向排列碳纳米管与碳包覆钴纳米颗粒复合物的制备方法,其特征是:所述的工作气体H2+CH4的总流量为100sccm。

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