[发明专利]基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810051543.0 申请日: 2008-12-08
公开(公告)号: CN101423759A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 张家骅;王美媛;张霞 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79;H01J29/20
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 代理人: 赵炳仁
地址: 130033吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 基于 阴极射线管 激发 蓝绿色 余辉 荧光粉 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉,其特征是化学式为(Ba1-xEux)2SiO4-ySi3N4-zBaCO3的以稀土二价铕离子激活的氮氧化物,式中,0.001≤x≤0.05;0.01≤y≤2;0.01≤z≤10。

2.根据权利要求1所述的基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉,其特征在于所述化学式中,x=0.01;y=1;z=4。

3.一种制备权利要求1所述基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉的方法,其特征在于包括以下步骤:

a.按权利要求1所述化学式中(Ba1-xEux)2SiO4的各元素的摩尔比称取碳酸钡、二氧化硅、氧化铕,研磨混匀后,放入到管式炉中,在还原气氛下培烧,培烧温度为1200℃-1300℃,培烧时间为3-4小时,培烧后自然冷却获得中间化合物硅酸钡(Ba1-xEux)2SiO4

b.再按权利要求1所述化学式(Ba1-xEux)2SiO4-ySi3N4-zBaCO3中(Ba1-xEux)2SiO4、Si3N4和BaCO3的摩尔比称取步骤a所获得的硅酸钡和碳酸钡、氮化硅,研磨混匀后,放入到管式炉中,在还原气氛下培烧,培烧温度为1300℃-1500℃,培烧时间为3-4小时,自然冷却,取出研碎即得体色为绿色的在阴极射线管激发下发射蓝绿色的长余辉荧光粉。

4.根据权利要求3所述的制备权利要求1所述基于阴极射线管激发的蓝绿色长余辉荧光粉的方法,其特征在于所述步骤a、b培烧的还原气氛为5%N2+95%H2混合气氛。

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