[发明专利]尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法有效
申请号: | 200810051635.9 | 申请日: | 2008-12-22 |
公开(公告)号: | CN101457403A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 杨秀荣;孙明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | C30B29/48 | 分类号: | C30B29/48;C01B19/04;C01G11/00 |
代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 马守忠 |
地址: | 130022吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 尺寸 可控 半导体 纳米 绿色 合成 方法 | ||
1.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成1.9nm-3nm 硒化镉纳米晶的步骤为:
0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,1mmol十二烷基胺, 放入充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的 0.15mmol硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时 下调10℃,让纳米晶进行生长,在20分钟内便可得到1.9nm-3nm的硒化镉纳 米晶。
2.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成 2.4nm-3.9nm硒化镉纳米晶的步骤为:
0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,2mmol十二烷基胺, 放入充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的 0.15mmol硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时 下调10℃,让纳米晶进行生长,在20分钟内便可得到2.4nm-3.9nm的硒化镉纳 米晶。
3.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成 2.5nm-4.9nm硒化镉纳米晶的步骤为:
0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,3mmol十二烷基胺, 放入充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的 0.15mmol硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时 下调10℃,让纳米晶进行生长,在20分钟内便可得到所需的尺寸2.5nm-4.9nm 的硒化镉纳米晶。
4.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成2.6nm-13nm 硒化镉纳米晶的步骤为: 0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,4mmol十二烷基胺,放入 充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的0.15mmol 硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时下调10℃, 让纳米晶进行生长,在60分钟内便可得到2.6nm-13nm的硒化镉纳米晶。
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