[发明专利]尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法有效

专利信息
申请号: 200810051635.9 申请日: 2008-12-22
公开(公告)号: CN101457403A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 杨秀荣;孙明 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C30B29/48 分类号: C30B29/48;C01B19/04;C01G11/00
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 马守忠
地址: 130022吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 尺寸 可控 半导体 纳米 绿色 合成 方法
【权利要求书】:

1.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成1.9nm-3nm 硒化镉纳米晶的步骤为:

0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,1mmol十二烷基胺, 放入充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的 0.15mmol硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时 下调10℃,让纳米晶进行生长,在20分钟内便可得到1.9nm-3nm的硒化镉纳 米晶。

2.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成 2.4nm-3.9nm硒化镉纳米晶的步骤为:

0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,2mmol十二烷基胺, 放入充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的 0.15mmol硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时 下调10℃,让纳米晶进行生长,在20分钟内便可得到2.4nm-3.9nm的硒化镉纳 米晶。

3.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成 2.5nm-4.9nm硒化镉纳米晶的步骤为:

0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,3mmol十二烷基胺, 放入充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的 0.15mmol硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时 下调10℃,让纳米晶进行生长,在20分钟内便可得到所需的尺寸2.5nm-4.9nm 的硒化镉纳米晶。

4.尺寸可控的硒化镉纳米晶的绿色合成方法,其特征在于,合成2.6nm-13nm 硒化镉纳米晶的步骤为: 0.1mmol油酸镉,0.2mmol油酸,3ml十八碳烯烃,4mmol十二烷基胺,放入 充满氮气反应器中,温度升高到260℃,将2ml分散在十八碳烯烃中的0.15mmol 硒前体注射到搅拌的上述反应液中,反应混合物的温度相比于注射时下调10℃, 让纳米晶进行生长,在60分钟内便可得到2.6nm-13nm的硒化镉纳米晶。

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