[发明专利]Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法无效
| 申请号： | 200810051709.9 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101476155A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李金华;方铉;赵东旭;王晓华;魏志鹏;苏广义 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/62;C30B30/02;C25D9/04;C01G9/02;H01L21/368 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 曲 博 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mg 掺杂 zno 纳米 电化学 沉积 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法，其特征在于，采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线，其步骤为：
(1)配置先驱体溶液，锌源为醋酸锌，镁源为醋酸镁，六次甲基四胺作为表面活性剂，所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等；
(2)电化学沉积，将先驱体溶液转入三电极体系，其中以导电衬底作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为0.5～1.0h，沉积电位为-0.8～-1.0V；
(3)后处理，将产物冲洗、干燥。
2、根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，醋酸锌和醋酸镁物质的量的摩尔比比例为(8.0～9.5)：(2.0～0.5)。
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