[发明专利]PERL(Passivated Emitter Rear Locally Diffused)型硅基发光管无效
| 申请号： | 200810052779.6 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101257078A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李晓云;郭维廉;牛萍娟;刘伟;杨广华;高铁成 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | perl passivated emitter rear locally diffused 型硅基 | ||
【权利要求书】：
1.一种PERL型硅基发光管，结构包括Al正负电极、Al背反射电极、倒金字塔绒面结构、轻掺杂n型层、高质量的SiO2钝化层、重掺杂电极接触孔。
2.根据权利要求1所述的PERL型硅基发光管，其特征在于通过改进PERL型太阳能电池结构实现侧面小面积发光的PERL型硅基发光管，利用p-n结正向注入原理实现硅基发光，所设计器件可以与CMOS工艺兼容。
3.根据权利要求1所述的PERL型硅基发光管，其特征在于器件结构采用了PERL型侧面单边发光结构，左侧为Al反射背电极，右侧为倒金字塔绒面发光结构，金属背反射电极和倒金字塔绒面结构形成光陷阱，提高出光效率。
4.根据权利要求1所述的PERL型硅基发光管，其特征在于在电极与半导体材料之间采用高质量的SiO2钝化，减少表面复合，增强辐射复合几率；同时Si/SiO2/Al电极结构可形成全内反射层以阻止光从器件上下表面出射，增强侧面出光效率。
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