[发明专利]具有超高介电常数的高频介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其原料组分及质量百分比含量为Ag₂O38～45％、Nb₂O₅ 18～47％、Ta₂O₅ 8～44％，形成熔块Ag(Nb，Ta)O₃，在此基础上外加质量百分比含量为0.5～6.0％的CaF₂；

具有超高介电常数的高频介质陶瓷的制备方法，步骤如下：

(1)将Nb₂O₅、Ta₂O₅分别按Ag(Nb，Ta)O₃的质量百分比18～47％及8～44％配料，按用料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶1.5的比例于尼龙罐中球磨1～6小时；

(2)将球磨后的粉料于干燥箱中烘干；

(3)将烘干后的粉料于1200～1450℃煅烧3～8小时，合成(Nb，Ta)₂O₅前驱体；

(4)将质量百分比含量为38～45％的Ag₂O，55～62％的(Nb，Ta)₂O₅进行二次配料，混合球磨2～5小时后烘干，于950～1100℃经4～10小时煅烧，形成熔块Ag(Nb，Ta)O₃；

(5)在Ag(Nb，Ta)O₃熔块中外加质量百分比含量为0.5～6.0％的CaF₂，球磨4～18小时，烘干，制得陶瓷粉料；

(6)在此陶瓷粉料中外加质量百分比含量为3～8％的石蜡，过筛后，压制成生坯；

(7)烧结生坯：经2～5小时升温到400～600℃，再经2～5小时升温到1060～1150℃，保温2～8小时，制得介质陶瓷。

2.根据权利要求1的具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(3)于1350℃煅烧4小时。

3.根据权利要求1的具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)于950℃煅烧6小时。

4.根据权利要求1的具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(6)的生坯直径为10mm，厚度为1～1.5mm。

5.根据权利要求1的具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(7)的烧结温度为1100℃，保温8小时。