[发明专利]掺镓元素太阳能单晶的生产方法有效

专利信息
申请号: 200810053398.X 申请日: 2008-06-03
公开(公告)号: CN101319364A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 沈浩平;汪雨田;尚伟泽;李翔;高树良;李海静;高润飞 申请(专利权)人: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00;C30B15/04
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 代理人: 王凤英
地址: 300384天津市华*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 元素 太阳能 生产 方法
【权利要求书】:

1、一种掺镓元素太阳能硅单晶的生产方法,其特征在于:包括掺杂方法和拉晶工艺,其掺杂方法包括:

(1)、擦拭掺杂装置

在掺杂前,用带无水乙醇的纤维纸,对掺杂装置进行擦拭;

(2)、冷却掺杂装置

预先将无水乙醇置于温度为-10℃≤T≤-7℃的冷藏箱里,将蘸上冷藏过的无水乙醇的纤维纸放在掺杂装置下,每隔1分钟更换一次,重复3次到5次,使掺杂装置温度降低到5℃—10℃,然后等待放入镓元素;

(3、镓元素放入掺杂装置

将预先置于冷藏箱里的镊子取出,用镊子迅速将置于冷藏箱里且预先称量好的镓元素放入掺杂装置中;

(4)、隔离置换

迅速将置于掺杂装置下的纤维纸取出,关上设备炉门,进行手动隔离置换,且将隔离置换时间控制在1分钟内;

(5)、掺入熔料中

隔离置换完成后,打开隔离翻板阀,通过连杆推出掺杂装置并将其翻转,将固态的镓元素倒入熔料内,即完成掺杂过程;

拉晶的工艺步骤如下:

(1)、引晶:

待炉内熔体温度达到稳定状态后,进行烤晶、熔接籽晶、拉细颈,细颈直径控制在3mm—6mm,细颈长度控制在180mm—300mm,引晶拉速控制在5—10mm/min;

(2)、放肩:

细颈长度与直径满足要求后,开始放肩,放肩时拉速下降至0.3~0.6mm/min;

(3)、转肩:

当放肩直径接近预定目标时,开始调整埚升电位器,启动埚升,埚升比例1.0∶0.128,转肩过程中提升拉速,拉速提升至1.5mm/min,当单晶转肩直径为要求直径时,开始进入单晶等径生长状态;

(4)、等径:

完成转肩过程后,稳定晶升速度,使单晶头部拉速控制在0.8-1.6mm/min,尾部拉速控制在0.5~2.0mm/min;

(5)收尾:

埚升电位器调零,手动调整拉速进行收尾,收尾最小直径控制在8mm以内;

(6)停炉:将晶体提起离开液面,关闭“加热”开关、晶升、晶转、埚转、埚升电源,停充氩气,即完成拉晶的工艺过程。

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