[发明专利]一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法

权利要求书

1.一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将清洗处理后的洁净的硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀氧化，使硅片表面生成二氧化硅层；

2)将刻蚀氧化后的硅片放入磁控溅射设备进行银颗粒溅射沉积，使硅片表面形成掩膜；

3)待温度降至40℃以下后将硅片取出，再次将硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀，即可制得纳米棒阵列。

2.根据权利要求1所述的在硅片上制备纳米棒阵列的方法，其特征在于：所述硅片的清洗处理方法是首先将硅片放入丙酮溶液中进行超声清洗5min，再放入氯仿中超声清洗5min，最后放入异丙醇溶液中超声清洗5min，然后将清洗过的硅片，用高纯氮气将表面吹干，整个过程在洁净环境内进行。

3.根据权利要求1所述的在硅片上制备纳米棒阵列的方法，其特征在于：所述硅片在反应离子刻蚀机进行氧化的工艺条件为：真空度6.5×10^-4Pa、反应气体为氧气，流量为50sccm、功率为50W，刻蚀时间为2min。

4.根据权利要求1所述的在硅片上制备纳米棒阵列的方法，其特征在于：所述硅片在磁控溅射设备进行银颗粒溅射沉积的工艺条件为：靶材为金属银，纯度99.99％、真空抽至5×10^-3Pa以下、温度300℃、充入氩气，流量为10sccm、溅射功率不大于20W、反应时间不大于150s。

5.根据权利要求1所述的在硅片上制备纳米棒阵列的方法，其特征在于：所述将表面形成掩膜的硅片再次放入反应离子刻蚀机进行刻蚀的工艺条件为：真空度为6.5×10^-4Pa、反应气体为四氟化碳，气体流量为10sccm、功率为100W、刻蚀时间为5～15min。