[发明专利]改变硫酸铵晶体晶习的媒晶剂及方法无效
申请号: | 200810053840.9 | 申请日: | 2008-07-14 |
公开(公告)号: | CN101323456A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 王静康;谢闯;王永莉;张美景;尹秋响;侯宝红;高毅颖 | 申请(专利权)人: | 天津市方圆工业结晶工程有限公司 |
主分类号: | C01C1/248 | 分类号: | C01C1/248 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300457天津市开发区泰华路1*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改变 硫酸铵 晶体 媒晶剂 方法 | ||
技术领域
本发明属于化学工程工业结晶技术领域,具体涉及改变硫酸铵晶体晶习的媒晶剂及方法。
背景技术
硫酸铵,英文名称为ammonium sulfate,分子式为(NH4)2SO4,分子量为132.13。
硫酸铵是农业肥料及化工、染织、医药、皮革等的工业原料,用作肥料,适用于各种土壤和作物。
晶习一般指晶体外观的整体形态,是晶体的内部结构和形成时物理化学条件的综合反映。由于大多数的晶体作为最终产品出售,它的纯度和机械强度都在很大程度上依赖于晶习,媒晶剂,即晶习改良剂。
硫酸铵一般晶习为近似长方形的多面体,工业上硫酸铵采用蒸发结晶,且得到的产品晶习不均一,从而影响适用效果。
本发明采用加入适量的媒晶剂来改变硫酸铵晶习,并制备出相应条件下唯一晶习的硫酸铵产品。与本发明相近的现有技术可参见:Journal of Crystal Growth 212(2000)480-488。
发明内容
本发明的目的在于采用媒晶剂改变硫酸铵晶体晶习,以克服现有技术的不足,进一步降低制备的成本和操作难度,改善硫酸铵晶体晶习不均一的问题,采用媒晶剂控制硫酸铵晶体晶习。
本发明的改变硫酸铵晶体晶习的媒晶剂,包括金属阳离子或二元酸媒晶剂。
所述的金属阳离子媒晶剂为硫酸钠、硫酸镁或硫酸铁。
所述的二元酸媒晶剂为对苯二甲酸、丁二酸或己二酸。
本发明的媒晶剂改变硫酸铵晶体晶习的方法,是将硫酸铵∶水按质量份数比60-85∶100的比例混合,加入800-1300ppm的金属阳离子或二元酸媒晶剂,将溶液加热到40-50℃,采用冷却结晶法,降温速率为8-12℃/h,降至8-15℃,得到相应晶习的硫酸铵晶体。
本发明提供不同的媒晶剂制备不同晶习的硫酸铵晶体的方法,其晶习唯一,产品纯度高,可以作为某些药物发酵过程的原料;利用二元酸为媒晶剂制备的硫酸铵晶习适合于生产粒度大于2.3毫米的聚结体硫酸铵产品,能提高其作为化肥的使用效力。
附图说明
图1:实施例1硫酸铵晶体的100倍电镜照片;
图2:实施例2硫酸铵晶体的100倍电镜照片;
图3:实施例3硫酸铵晶体的100倍电镜照片;
图4:实施例4硫酸铵晶体的50倍电镜照片;
图5:实施例5硫酸铵晶体的100倍电镜照片;
图6:实施例6硫酸铵晶体的80倍电镜照片。
具体实施方式
下述实施例对本发明进行详细描述:
实施例1:
取硫酸铵60g,去离子水100g,800ppm硫酸钠,搅拌均匀,并加热溶解形成均一溶液。将所得溶液继续加热到40℃,采用冷却结晶法,降温速率为10℃/h,降至8℃。此条件下得到的硫酸铵晶体的电镜照片如图1所示。
实施例2:
取硫酸铵65g,去离子水100g,900ppm硫酸镁,搅拌均匀,并加热溶解形成均一溶液。将所得溶液继续加热到48℃,采用冷却结晶法,降温速率为8℃/h,降至9℃。此条件下得到的硫酸铵晶体的电镜照片如图2所示。
实施例3:
取硫酸铵70g,去离子水100g,1000ppm硫酸铁,搅拌均匀,并加热溶解形成均一溶液。将所得溶液继续加热到43℃,采用冷却结晶法,降温速率为12℃/h,降至10℃。此条件下得到的硫酸铵晶体的电镜照片如图3所示。
实施例4:
取硫酸铵75g,去离子水100g,1100ppm对苯二甲酸,搅拌均匀,并加热溶解形成均一溶液。将所得溶液继续加热到42℃,采用冷却结晶法,降温速率为9℃/h,降至12℃。此条件下得到的硫酸铵晶体的电镜照片如图4所示。
实施例5:
取硫酸铵80g,去离子水100g,1200ppm丁二酸,搅拌均匀,并加热溶解形成均一溶液。将所得溶液继续加热到45℃,采用冷却结晶法,降温速率为11℃/h,降至14℃。此条件下得到的硫酸铵晶体的电镜照片如图5所示。
实施例6:
取硫酸铵85g,去离子水100g,1300ppm己二酸,搅拌均匀,并加热溶解形成均一溶液。将所得溶液继续加热到50℃,采用冷却结晶法,降温速率为9℃/h,降至15℃。此条件下得到的硫酸铵晶体的电镜照片如图6所示。
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