[发明专利]低损耗高频介质陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810054136.5 申请日: 2008-08-15
公开(公告)号: CN101343179A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 李玲霞;廖擎玮;张平;王洪茹 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 曹玉平
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 损耗 高频 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低损耗高频介质陶瓷,其特征在于,以ZnO-Nb2O5-2TiO2为基料,SnO2和CaO为添加剂,按配方通式:xCaO-(1-x)ZnO-Nb2O5-ySnO2-(2-y)TiO2配料,其中0<x≤0.16,0<y≤0.1;

其制备方法为:

(1)将原料ZnO、Nb2O5和TiO2按配方通式xCaO-(1-x)ZnO-Nb2O5-ySnO2-(2-y)TiO2进行配料,其中0<x≤0.16,0<y≤0.1;按混合原料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶2.5的比例加入球磨罐中,在球磨机上球磨24~30小时;

(2)将球磨后的原料于干燥箱中烘干,然后于900℃预烧3~6小时合成前驱体;

(3)在上述前驱体中加入质量百分比为5~8%的石蜡作为粘合剂进行造粒,过筛后,再用粉末压片机以6~10MPa的压力压成生坯;

(4)将生坯于1040~1100℃烧结,保温3~6小时。

2.权利要求1低损耗高频介质陶瓷的制备方法,步骤如下:

(1)将原料ZnO、Nb2O5和TiO2按配方通式xCaO-(1-x)ZnO-Nb2O5-ySnO2-(2-y)TiO2进行配料,其中0<x≤0.16,0<y≤0.1;按混合原料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶2.5的比例加入球磨罐中,在球磨机上球磨24~30小时;

(2)将球磨后的原料于干燥箱中烘干,然后于900℃预烧3~6小时合成前驱体;

(3)在上述前驱体中加入质量百分比为5~8%的石蜡作为粘合剂进行造粒,过筛后,再用粉末压片机以6~10MPa的压力压成生坯;

(4)将生坯于1040~1100℃烧结,保温3~6小时。

3.根据权利要求2的低损耗高频介质陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的球磨机转速为400r/min。

4.根据权利要求2的低损耗高频介质陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)采用红外干燥箱于80~120℃下烘干。

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