[发明专利]一种青霉素G亚砜复合晶体及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及青霉素G亚砜的一种复合晶体及其制备方法。

背景技术

青霉素G亚砜通常是以青霉素G为起始原料经氧化而得。它经扩环重排反应可合成各种头孢烷酸，如7-ADCA(7-氨基去乙酰氧基头孢烯酸)、GCLE(7-苯基乙酰氨基-3-氯甲基头孢烯酸对甲氧基苄酯)、GCLH(7-苯基乙酰氨基-3-氯甲基头孢烯酸二苯基甲酯)。青霉素G亚砜具有β内酰胺的独特分子结构，遇热不稳定，且其在水溶液中与溶剂形成氢键，故产品在水溶液中析出时容易形成含有2个水分子结晶体。由于扩环重排反应为无水反应，工艺要求青霉素G亚砜中的水分的含量不能超过0.2％，且杂质含量不能高于1％，否则，头孢烷酸的收率和含量会明显降低。因而含有结晶水的青霉素G亚砜不利于其使用和储存。目前，人们正在积极探索获得一种不含水份的青霉素G亚砜的方法，以提高青霉素G亚砜的稳定性，同时有利于提高扩环重排反应中头孢烷酸的收率和含量。

发明内容

本发明的目的就是要提供一种新的青霉素G亚砜复合晶体，该晶体的稳定性好，且在扩环重排反应中还可有效提高头孢烷酸的收率和含量。本发明同时提供一种该复合晶体的制备方法。

本发明的发明人为实现上述目的作了深入研究，并且发现青霉素G亚砜可在甲醇或含有甲醇的混合溶媒中得到含有甲醇的青霉素G亚砜复合晶体。本发明所提供的新的青霉素G亚砜复合晶体，就是青霉素G亚砜的甲醇复合晶体。其化学结构如下：

本发明所提供的青霉素G亚砜复合晶体，根据差示扫描量热计测得热流曲    线，测得它有在106℃以上的熔点。故为了更清楚地表征本发明，本发明人对其进行如下进一步表述：

本发明青霉素G亚砜复合晶体其晶体熔点106.9℃，元素含量C：53.35％、N：7.23％、O：24.9％、H：5.78％、S：8.70％。

该复合该晶体具有下列X-射线粉末衍射图谱(详见表1)，该图谱由λ＝1.54059埃的铜射线穿过单色仪丝滤器而获得。

表1：

    D    I/I₀    10.9348    8.4498    7.2847    6.6205    6.3297    5.4606    5.2992    5.0191    4.5719    4.4176    4.3415    4.2182    4.0665    3.8384    3.6573    3.5816    3.5285    3.4182    3.3528    3.2942    3.2498    22.0    100.0    28.8    13.8    26.6    36.0    11.5    1.2    6.5    38.6    33.6    5.5    31.1    1.6    14.1    6.6    12.2    2.5    3.3    12.6    13.1