[发明专利]单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810055128.2 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101586985A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李献杰;赵永林;蔡道民;齐丽芳;曾庆明;李言荣;吴传贵;张万里 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10;H01L27/144;H01L21/82;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片 集成 制冷 红外 紫外 探测器 及其 制造 方法 | ||
1.一种单片集成非制冷红外/紫外双色探测器，它包括衬底，其紫外敏感薄膜结构与红外敏感薄膜结构集成在同一衬底材料上，其特征在于：从衬底向上依次为缓冲层、紫外敏感层、隔离层、红外探测结构，所述隔离层覆盖住紫外敏感层的一部分，红外探测结构在隔离层之上，所述紫外敏感层的另一部分上面置有叉指电极，与紫外敏感层构成紫外探测结构。
2.根据权利要求1所述的单片集成非制冷红外/紫外双色探测器，其特征在于所述衬底是蓝宝石、硅或者碳化硅抛光衬底。
3.根据权利要求1所述的单片集成非制冷红外/紫外双色探测器，其特征在于所述红外探测结构由电极和红外敏感层组成，其中电极分别置于红外敏感层的两面或者两侧。
4.根据权利要求1所述的单片集成非制冷红外/紫外双色探测器，其特征在于所述紫外敏感层为用分子束外延或金属有机物化学气相淀积系统生长的碳化硅、氮化镓-GaN或者铝镓氮-AlxGa1-xN系宽带隙半导体材料薄膜，其中AlxGa1-xN中的X值与具体应用有关。
5.根据权利要求1所述的单片集成非制冷红外/紫外双色探测器，其特征在于所述红外敏感层为通过磁控溅射方法或者凝胶溶胶化学合成方法制作的非制冷铁电材料、氧化钒、硫化铅或非晶硅材料层。
6.根据权利要求1所述的单片集成非制冷红外/紫外双色探测器，其特征在于所述隔离层为用溶胶凝胶法或PECVD法制备的多孔二氧化硅层或者由二氧化硅牺牲层和氮化硅支撑层组成的复合层。
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