[发明专利]基于聚合物相变温度响应性的浸润性聚合物开关薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种基于聚合物相变温度响应性的浸润性聚合物开关薄膜的制备方法，其特征是：该方法包括以下步骤：

1)选取分子内同时含有亲水基团与疏水基团，具有相变点在20℃～100℃的聚合物，溶于易挥发的对聚合物有良好溶解能力的纯有机溶剂中，配制成聚合物的稀溶液；

2)将要修饰的固体基底表面进行清洁化，得到表面平滑的固体基底；或将要修饰的固体基底表面进行清洁化和进行微米或纳米尺度的粗糙化，得到表面粗糙的固体基底；

3)将步骤1)得到的聚合物的稀溶液滴于需要修饰的步骤2)得到的平滑的固体基底上，或表面粗糙的固体基底上；在干燥器中保存，使聚合物的稀溶液在固体基底的表面充分铺展；再放入真空干燥器中抽真空，以除去固体基底表面多余的有机溶剂，并于80℃～120℃的温度下对真空干燥箱抽真空，以完全除去残留在固体基底表面的有机溶剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：在平滑的同体基底上得到的聚合物开关薄膜表面在低于聚合物相转变温度时，聚合物材料表面为疏水状态，在粗糙的固体基底上得到的聚合物开关薄膜表面在低于聚合物相转变温度时，聚合物材料表面为超疏水状态；在平滑的固体基底上得到的聚合物开关薄膜表面在高于聚合物相转变温度时，聚合物材料表面为亲水状态，在粗糙的固体基底上得到的聚合物开关薄膜表面在高于聚合物相转变温度时，聚合物材料表面为超亲水状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的固体基底表面进行微米或纳米尺度的粗糙化方法包括物理方法或化学方法。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征是：所述的物理方法是激光刻蚀、等离子体处理或电子束刻蚀；所述的化学方法是强氧化剂或强还原剂的腐蚀。

5.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征是：所述的固体基底足玻璃、硅片或陶瓷无机材料，或者是涤纶、腈纶或棉线有机材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤1)所述的聚合物稀溶液的浓度是0.1～50mg/mL。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征是所述的聚合物稀溶液的浓度是0.1～10mg/mL。

8.根据权利要求1、2、6或7所述的方法，其特征是：所述的聚合物是聚己内酯、聚丙交酯、聚己二酸癸二酯、聚癸二酸乙二酯、聚二氧六环、聚四氢呋喃、聚六次甲基氧醚或聚氧乙烯；或者是无规共聚酯的聚合物；或者是嵌段共聚物。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征是：所述的无规共聚酯的聚合物是对苯二甲酸和己二酸与乙二醇的共聚物或对苯二甲酸和癸二酸与乙二醇的共聚物；所述的嵌段共聚物是聚乳酸与聚己内酯的嵌段共聚物或聚癸二酸乙二酯与聚乳酸的嵌段共聚物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的有机溶剂选自苯、甲苯、己烷、三氯甲烷、二氯甲烷、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、1，4-二六氧环，乙酸乙酯、乙醚、吡啶、乙醇、甲醇、丙酮中的一种或大于一种的混合物。