[发明专利]采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源

权利要求书

1、一种采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，该单光子源由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、光子晶体微腔、上DBR、p型接触层和上电极构成。

2、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述光子晶体微腔是半导体量子点光子晶体微腔，且采用二维光子晶格空气孔型缺陷腔。

3、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述光子晶体微腔是在有源区的空间隔离层spacer形成的。

4、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述光子晶体微腔是H1腔、H2腔，或H3腔，或者是改进的光子晶体微腔。

5、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述光子晶体微腔中只有一个量子点。

6、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述光子晶体微腔具有圆形或者椭圆形空气孔缺陷腔。

7、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述光子晶体微腔与上DBR之间采用晶片键合技术结合在一起，且只需键合一次。

8、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述上电极蒸镀在上DBR上的p型接触层的上表面，所述下电极蒸镀在n型衬底的下表面。

9、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述上电极材料为AuGeNiAu合金，下电极材料为TiAu合金。

10、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，所述的下DBR的反射率比上DBR的反射率高。

11、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，该单光子源的有源区spacer层的厚度为一个波长，有源区spacer层材料为III-V族量子点，或者为II-VI族量子点。

12、根据权利要求1所述的采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，其特征在于，该单光子源在纵向上采用DBR结构对光实现限制，在横向上采用光子晶体带隙对光限制，该单光子源的工作波长覆盖深紫外到远红外波段。