[发明专利]一种样品预处理集成芯片无效
申请号: | 200810057186.9 | 申请日: | 2008-01-30 |
公开(公告)号: | CN101498630A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 崔大付;陈兴;刘长春;张璐璐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N33/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 样品 预处理 集成 芯片 | ||
1.一种样品预处理集成芯片,其特征在于,包括:一层盖片 和至少一层结构片,结构片上具有微沟道和至少三个与微沟道相 连通的孔,所述微沟道选自下面至少两种:具有错流分离或错流过 滤的微结构的分离沟道,具有固相萃取微结构的纯化沟道,具有至 少两条次级沟道汇合而成的混合沟道,所述的盖片包括至少三个通 孔,并与结构片所对应的孔相连通。
2.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有混合沟道和纯化沟道。
3.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有分离沟道和纯化沟道。
4.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有分离沟道和混合沟道。
5.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有分离沟道、混合沟道和纯化沟道。
6.如权利要求1或2或4或5所述的样品预处理集成芯片, 其特征在于:所述的混合沟道由至少两条次级微沟道汇合而成,汇 合后的混合沟道是直沟道、弯曲沟道、折线沟道或不规则沟道,混 合沟道中具有或不具有微结构。
7.如权利要求1或2或3或5所述的样品预处理集成芯片,其 特征在于:所述的纯化沟道具有微柱或多孔硅的固相载体。
8.如权利要求7所述的样品预处理集成芯片,其特征在于:对 所述的固相载体进行热氧化处理或化学修饰。
9.如权利要求1或3或4或5所述的样品预处理集成芯片,其 特征在于:所述的分离沟道中微结构是微柱阵列或微坝,微结构的 排列方向与分离沟道轴向平行或与分离沟道轴向成不等于90°的角 度,微结构至少为一列,微结构将分离沟道沿轴向至少分为两条微 通道,微柱阵列的间隙或微坝顶端与分离沟道顶部间的间隙由所需 分离细胞或颗粒的尺寸决定。
10.如权利要求1或2或5所述的样品预处理集成芯片,其特 征在于:所述的混合沟道与纯化沟道是同一条,或是不同的两条。
11.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于:所 述的盖片是玻璃片、聚合物片或玻璃-聚二甲基硅氧烷复合盖片, 结构片是硅片、玻璃片或聚合物片中的一种或几种。
12.如权利要求5所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 包括的盖片具有一个或多个储液池以及至少四个通孔,通孔与结构 片所对应的孔相连通。
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