[发明专利]一种样品预处理集成芯片无效

专利信息
申请号: 200810057186.9 申请日: 2008-01-30
公开(公告)号: CN101498630A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 崔大付;陈兴;刘长春;张璐璐 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28;G01N33/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 梁爱荣
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 样品 预处理 集成 芯片
【权利要求书】:

1.一种样品预处理集成芯片,其特征在于,包括:一层盖片 和至少一层结构片,结构片上具有微沟道和至少三个与微沟道相 连通的孔,所述微沟道选自下面至少两种:具有错流分离或错流过 滤的微结构的分离沟道,具有固相萃取微结构的纯化沟道,具有至 少两条次级沟道汇合而成的混合沟道,所述的盖片包括至少三个通 孔,并与结构片所对应的孔相连通。

2.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有混合沟道和纯化沟道。

3.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有分离沟道和纯化沟道。

4.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有分离沟道和混合沟道。

5.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 所述的结构片具有分离沟道、混合沟道和纯化沟道。

6.如权利要求1或2或4或5所述的样品预处理集成芯片, 其特征在于:所述的混合沟道由至少两条次级微沟道汇合而成,汇 合后的混合沟道是直沟道、弯曲沟道、折线沟道或不规则沟道,混 合沟道中具有或不具有微结构。

7.如权利要求1或2或3或5所述的样品预处理集成芯片,其 特征在于:所述的纯化沟道具有微柱或多孔硅的固相载体。

8.如权利要求7所述的样品预处理集成芯片,其特征在于:对 所述的固相载体进行热氧化处理或化学修饰。

9.如权利要求1或3或4或5所述的样品预处理集成芯片,其 特征在于:所述的分离沟道中微结构是微柱阵列或微坝,微结构的 排列方向与分离沟道轴向平行或与分离沟道轴向成不等于90°的角 度,微结构至少为一列,微结构将分离沟道沿轴向至少分为两条微 通道,微柱阵列的间隙或微坝顶端与分离沟道顶部间的间隙由所需 分离细胞或颗粒的尺寸决定。

10.如权利要求1或2或5所述的样品预处理集成芯片,其特 征在于:所述的混合沟道与纯化沟道是同一条,或是不同的两条。

11.如权利要求1所述的样品预处理集成芯片,其特征在于:所 述的盖片是玻璃片、聚合物片或玻璃-聚二甲基硅氧烷复合盖片, 结构片是硅片、玻璃片或聚合物片中的一种或几种。

12.如权利要求5所述的样品预处理集成芯片,其特征在于: 包括的盖片具有一个或多个储液池以及至少四个通孔,通孔与结构 片所对应的孔相连通。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所,未经中国科学院电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810057186.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top