[发明专利]一种智能卡封装方法及一种智能卡的封装结构无效

专利信息
申请号: 200810057323.9 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101221630A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 任战波;张俊超 申请(专利权)人: 大唐微电子技术有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 北京信远达知识产权代理事务所 代理人: 王学强
地址: 100094*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 智能卡 封装 方法 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种大容量智能卡封装方法。

背景技术

SIM卡是应用于手机的一种智能卡,目前,由于传统的SIM卡一直无法存储大量的数据,制约了SIM卡的发展空间。现阶段出现的HD-SIM卡为传统SIM卡提供了一个发展方向。但传统SIM卡封装时,如图1a所示,在设备上,绝缘层12宽A为35mm,绝缘层上的第一金属层11排列为2排,每排第一金属层的尺寸为12.6×11.4mm。SIM卡芯片要封装在绝缘层12上没有第一金属层11的一面,并且和第一金属层11的位置对应,因此传统SIM卡封装方法可以贴芯片的位置仅仅为12.6×11.4mm,无法进行大芯片或多芯片的封装。因此使大尺寸芯片和多芯片排布及封装受到限制,限制了SIM卡向大容量发展。

在传统SIM卡封装中,如图1b所示,包括第一金属层11和绝缘层12。其中,绝缘层具有通孔10。

具体封装步骤包括:

1)在绝缘层12的一侧黏结第一金属层11,在绝缘层表面形成通孔10;

2)在绝缘层12的另一侧,第一金属层的对应位置黏结芯片16;

3)用金属线6将芯片16的PAD和通孔10处漏出的第一金属层11相连,从而实现第一金属层11和芯片16的导电互连;

4)将芯片16,金属线6,以及绝缘层12粘贴有芯片的一面用滴胶工艺塑封起来成为SIM卡模块。

5)由于传统SIM卡模块本身的尺寸较小,在PLUG-IN小卡的范围中,只要给其模块的四周边缘留出大于1.50mm的宽度,就可以保证其粘接在PLUG-IN小卡的范围中,再在7816大卡上冲切出PLUG-IN小卡的形状尺寸,将封装好的PLUG-IN小卡嵌入塑料材质的7816大卡中,就完成了传统SIM卡的制作。

传统的SIM卡向大容量方向发展中,由于SIM卡条带上金属部分的物理尺寸的限制,没有足够的空间封装多个芯片,因此本发明增大了芯片的封装空间,但在多个芯片封装时,各个芯片之间需要连线,走线复杂并且为了防止短路等情况而需要较长的金属线。这些就使得在实际生产中对于金属线的高度和强度很难控制,大大降低的产品的可靠性。现有的小容量SIM卡通常存储模块和控制模块在一个芯片里完成,因此SIM卡模块内的芯片间不需要连线。但大容量SIM卡存储模块和控制模块则需要在存储芯片和控制芯片两个芯片内完成,例如HD-SIM卡,因此就需要在SIM卡模块内连接很长的金属线。

除此之外,由于大容量SIM卡封装时模块的尺寸较大,传统的滴胶的塑封方法不能满足需要。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术的SIM卡封装方法针对大容量SIM卡大芯片和多芯片封装时,存在封装空间不够和金属线连接不可靠的问题。

为了解决上述问题,本发明提供了一种智能卡的封装方法,步骤包括:提供一绝缘层;在绝缘层上形成第一金属层;确定芯片在绝缘层上不具有第一金属层的一面的连线位置,并在所述连线位置形成第二金属层;将芯片黏结在绝缘层上第二金属层所在的一面;用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层,使芯片和第一金属层导电互连。

其中,第二金属层为用电镀、腐蚀或蚀刻的方法形成。

其中,所述第一金属层的平面尺寸与PLUG-IN小卡的平面尺寸相同,为15×25mm。

进一步的,用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层之后,还包括:用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接不同的芯片,使不同的芯片导电互连。

进一步的,用第二金属层或者、第二金属层和金属线连接芯片和第一金属层之后,还包括塑封的步骤,具体为:使用灌注方法将芯片、第二金属层、金属线以及绝缘层塑封为长25mm、宽15mm、厚度760μm的结构。

其中,所述塑封的步骤包括:

A、使用模具的上模和下模将智能卡模快夹在中间,在芯片、第二金属层、金属线以及绝缘层上方形成一个矩形空腔;

B、将模具加热到塑封材料的熔点温度;

C、将固体的塑封材料送至模具的通孔,塑封材料在通孔处融化为液态灌入所述空腔内;

D、待塑封材料注满空腔后冷却,使塑封材料变为固态。

其中,所述的塑封材料为环氧树脂,所述环氧树脂包含金刚砂和固化剂。

进一步的,在所述塑封的步骤之后还包括:将塑封之后的智能卡模块嵌入7816大卡内的步骤,具体为:

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