[发明专利]一种“6H”-BaIrO3晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810057520.0 申请日: 2008-02-02
公开(公告)号: CN101307495A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 赵景庚;杨留响;靳常青 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B1/12
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人: 尹振启
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 bairo sub 晶体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种单相的“6H”-BaIrO3晶体,其空间群为C2/c,晶胞参数为:β=91.340°。

2.一种单相“6H”-BaIrO3晶体的制备方法,该方法先采用固态化学方法制备出单相的“9R”-BaIrO3,再利用高温高压条件处理单相的“9R”-BaIrO3,然后经淬火合成单相“6H”-BaIrO3晶体,其特征在于,所述的高温高压条件为:温度900℃-1000℃;压力4.5-5GPa;保温时间30分钟以上。

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述的高温高压条件为:温度900℃-1000℃;压力5GPa;保温时间60分钟以上。

4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述的高温高压条件采用石墨炉进行高压合成,石墨炉内的介质为六方氮化硼h-BN。

5.如权利要求2-4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述的固态化学方法制备出单相“9R”-BaIrO3的具体步骤包括:

常压下利用固态反应法,将化学纯的BaCO3和Ir粉末以1∶1的摩尔比混合、研磨,在900℃-1000℃的条件下进行第一次烧结,保温12小时以上;然后在1000℃-1100℃的温度条件下进行第二次烧结,保温24小时以上,或者再于第二次烧结的温度范围内重复烧结多次,最终得到单相的“9R”-BaIrO3

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述化学纯纯度不低于99.9%;所述第二次烧结的重复烧结多次的次数为2次。

7.如权利要求2-4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述高温高压方法处理单相“9R”-BaIrO3的具体步骤包括:

将常压下得到的单相“9R”-BaIrO3粉末压成小圆片,并用金箔或铂箔包裹,将该样品放入石墨炉,装入高压组装件内进行高压合成,石墨炉内用的介质是六方氮化硼h-BN,样品合成在滑块式六面顶高压机上进行,先在室温下缓慢升压至5GPa,再启动加热程序加热至900-1000℃,然后保温30分钟以上,淬火至室温,然后卸压。

8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述高压合成前,进行温度和压力的标定,并用控制加热功率的方法控制加热温度。

9.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述小圆片的直径为5mm、厚度为1.5mm。

10.一种单相的“6H”-BaIrO3晶体的用途,该“6H”-BaIrO3晶体可用作顺磁金属使用。

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