[发明专利]一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备

权利要求书

1.一种气体分配装置，用于将气体均匀地分配至反应腔室内，其包括从上至下依次层叠设置的支撑板、阻流板和喷淋头电极，所述支撑板上设置有进气通道，用于将气体引入到所述气体分配装置内；所述喷淋头电极上开设有排气通道，其特征在于，所述阻流板的至少一个表面上设置有阻流板内凹部分，且所述阻流板内凹部分设置有纵向贯通所述阻流板的通孔，以使来自所述支撑板进气通道的气体在所述阻流板内凹部分进行扩散后，再经由所述通孔而输送至喷淋头电极，并通过所述喷淋头电极上的排气通道输送至反应腔室。

2.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述阻流板内凹部分设置在所述阻流板的上表面，并与所述支撑板进气通道相对应，所述通孔自阻流板内凹部分向下延伸至所述阻流板的下表面，以纵向贯通所述阻流板。

3.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述阻流板内凹部分设置在所述阻流板的下表面，并与所述支撑板进气通道相对应，所述通孔自阻流板内凹部分向上延伸至所述阻流板的上表面，以纵向贯通所述阻流板。

4.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，在所述阻流板的上表面和下表面均设置有阻流板内凹部分，所述阻流板内凹部分与所述支撑板进气通道相对应，所述通孔自阻流板上表面的内凹部分向下延伸至阻流板下表面的内凹部分，以纵向贯通所述阻流板。

5.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，至少所述阻流板内凹部分的顶部区域在垂直于水平面的平面上的投影呈圆弧状。

6.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述支撑板进气通道包括支撑板中央进气通道和支撑板边缘进气通道，相应地，所述阻流板内凹部分包括对应于所述支撑板中央进气通道的阻流板中央内凹部分以及对应于所述支撑板边缘进气通道的阻流板边缘内凹部分。

7.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述通孔沿所述阻流板内凹部分的表面非均匀地分布。

8.根据权利要求7所述的气体分配装置，其特征在于，所述通孔沿所述阻流板内凹部分的表面由中央区域向边缘区域逐渐增多。

9.根据权利要求7所述的气体分配装置，其特征在于，所述通孔的孔径沿所述阻流板内凹部分的表面由中央区域向边缘区域逐渐增大。

10.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述阻流板设置为单层阻流板，或者设置为多层阻流板的组合。

11.根据权利要求10所述的气体分配装置，其特征在于，所述单层阻流板一体成型或者由中央部分和外围部分嵌套组合而成；所述多层阻流板中的每一层阻流板一体成型或者由中央部分和外围部分嵌套组合而成。

12.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，对应于所述阻流板内凹部分，而在所述支撑板下表面设置支撑板中央凹进区域和/或支撑板边缘凹进区域，以增大气体的扩散区域，并且所述进气通道设置在所述凹进区域内，并纵向贯穿所述支撑板。

13.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，对应于所述阻流板内凹部分，而在所述喷淋头电极的上表面设置喷淋头电极凹进区域，以增大气体的扩散区域，并且所述排气通道设置在所述凹进区域内，并纵向贯穿所述喷淋头电极。

14.一种半导体处理设备，包括反应腔室和置于反应腔室内的静电夹持装置，其特征在于，在所述反应腔室的上方设置有如权利要求1至13中任意一项所述的气体分配装置，所述气体分配装置与所述静电夹持装置对置，用以向反应腔室内均匀地分配气体。