[发明专利]一种实现高精度埋阻的方法及装置有效
申请号: | 200810057562.4 | 申请日: | 2008-02-03 |
公开(公告)号: | CN101227800A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 王洪利 | 申请(专利权)人: | 深圳华为通信技术有限公司 |
主分类号: | H05K3/30 | 分类号: | H05K3/30;H05K3/46 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 何文彬 |
地址: | 518129广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 高精度 方法 装置 | ||
1.一种实现高精度埋阻的方法,其特征在于,所述方法包括:
蚀刻预设埋阻图形连接端子和非埋阻区域互连线路以外的导体层,得到埋阻长度方向的成形尺寸和非埋阻区域互连线路;
测量所述埋阻长度方向的成形尺寸;
根据所述测量的埋阻长度方向的成形尺寸计算修正的埋阻宽度方向的成形尺寸;
根据所述修正的埋阻宽度方向的成形尺寸,蚀刻电阻层,得到成形的埋阻。
2.如权利要求1所述的实现高精度埋阻的方法,其特征在于,所述蚀刻预设埋阻图形连接端子和非埋阻区域互连线路以外的导体层,得到埋阻长度方向的成形尺寸和非埋阻区域互连线路的步骤具体包括:
在导体层涂上光致抗蚀剂;
利用曝光和显影技术在埋阻区域得到所述预设埋阻图形连接端子对应的光致抗蚀剂掩膜,在非埋阻区域得到所述互连线路对应的光致抗蚀剂掩膜;
蚀刻导体层;
清洗所述光致抗蚀剂掩膜,得到所述埋阻长度方向的成形尺寸和所述非埋阻区域互连线路。
3.如权利要求1所述的实现高精度埋阻的方法,其特征在于,所述根据所述测量的埋阻长度方向的成形尺寸计算修正的埋阻宽度方向的成形尺寸的步骤具体为:
所述修正的埋阻宽度方向的成形尺寸等于所述测量的埋阻长度方向的成形尺寸乘以方块电阻再除以埋阻的阻值。
4.如权利要求1所述的实现高精度埋阻的方法,其特征在于,所述根据所述修正的埋阻宽度方向的成形尺寸,蚀刻电阻层,得到成形的埋阻的步骤具体包括:
将修正的埋阻宽度掩膜覆盖在埋阻区域,蚀刻所述修正的埋阻宽度掩膜以外的电阻层,得到所述成形的埋阻。
5.一种实现高精度埋阻的装置,其特征在于,所述装置包括:
埋阻长度方向成形尺寸获取模块,用于蚀刻预设埋阻图形连接端子和非埋阻区域互连线路以外的导体层,得到埋阻长度方向的成形尺寸和非埋阻区域互连线路;
测量模块,用于测量所述得到的埋阻长度方向的成形尺寸;
埋阻宽度方向成形尺寸计算模块,用于根据所述测量的埋阻长度方向的成形尺寸计算修正的埋阻宽度方向的成形尺寸;
埋阻宽度方向成形尺寸获取模块,用于根据所述修正的埋阻宽度方向的成形尺寸,蚀刻电阻层,得到成形的埋阻。
6.如权利要求5所述的实现高精度埋阻的装置,其特征在于,所述埋阻长度方向成形尺寸获取模块包括:
涂层单元,用于在导体层涂上光致抗蚀剂;
掩膜获取单元,用于利用曝光和显影技术在埋阻区域得到所述预设埋阻图形连接端子对应的光致抗蚀剂掩膜,在非埋阻区域得到所述互连线路对应的光致抗蚀剂掩膜:
导体层蚀刻单元,用于蚀刻导体层;
清洗单元,用于清洗所述光致抗蚀剂掩膜,得到所述埋阻长度方向的成形尺寸和所述非埋阻区域互连线路。
7.如权利要求5所述的实现高精度埋阻的装置,其特征在于,所述埋阻宽度方向成形尺寸获取模块包括:
覆盖单元,用于将修正的埋阻宽度掩膜覆盖在埋阻区域;
导体层蚀刻单元,用于蚀刻所述修正的埋阻宽度掩膜以外的电阻层,得到所述成形的埋阻。
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