[发明专利]InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法

权利要求书

1.一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用半绝缘材料作为衬底；

2)在衬底上生长缓冲层；

3)在缓冲层上生长电子沟道层；

4)在电子沟道层上生长空间层；

5)在空间层上生长掺杂层；

6)在掺杂层上生长第一层势垒层；

7)在第一层势垒层上生长第一层腐蚀阻挡层；

8)在第一层腐蚀阻挡层上生长第二层势垒层；

9)在第二层势垒层上生长第二层腐蚀阻挡层；

10)在第二层腐蚀阻挡层上生长帽层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为半绝缘InP材料，所述缓冲层采用InAlAs，所述电子沟道层采用InGaAs，所述空间层采用InAlAs。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掺杂层采用Si面，所述第一层势垒层采用InAlAs，所述第一层腐蚀阻挡层采用AlAs，所述第一层腐蚀阻挡层采用AlAs，所述第二层势垒层采用InAlAs，所述第二层腐蚀阻挡层采用AlAs，所述帽层采用InGaAs。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述增强型和耗尽型HEMT的源漏电极是统一制作的，淀积在InGaAs帽层上，采用Ni/Ge/Au、GeAu/Ni/Au或Ti/Pt/Au。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀阻挡层为两层AlAs腐蚀阻挡层，用于阻挡选择湿法腐蚀。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述增强型和耗尽型HEMT的器件隔离采用非选择湿法腐蚀，栅槽制作采用选择湿法腐蚀。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述非选择湿法腐蚀采用硫酸、双氧水和水的混合溶液；所述选择湿法腐蚀采用丁二酸、氨水、双氧水和水的混合溶液。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述增强型HEMT的栅槽和耗尽型HEMT的栅槽是分别制作的，增强型HEMT的栅槽腐蚀到第一层AlAs腐蚀阻挡层，耗尽型HEMT的栅槽腐蚀到第二层InAlAs势垒层，栅槽制作采用选择湿法腐蚀加上用稀盐酸去AlAs腐蚀阻挡层的方法制作。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述增强型HEMT的栅金属淀积在第一层AlAs腐蚀阻挡层上，而耗尽型HEMT的栅金属淀积在第二层InAlAs势垒层上。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，增强型HEMT的栅金属结构为Pt/Ti/Pt/Au四层金属结构，耗尽型HEMT的栅金属结构为Ti/Pt/Au三层金属结构。