[发明专利]一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1、一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于经过下列工艺步骤：

(1)将纯度为99.99％的氧化钽Ta₂O₅和氧化锡SnO₂粉末充分混合，在60～80Mpa的压强下压制成坯后，放入高温烧结炉，在空气中1500～1650℃下烧结3～5小时，烧结成钽掺杂氧化锡溅射靶材；

(2)将所制得的钽掺杂氧化锡溅射靶材用分析纯丙酮和去离子水充分清洗，然后在120～140℃保温2～3小时，去除表面油污等杂质；

(3)采用普通载玻片作为薄膜基底材料，在溅射前先用分析纯丙酮和去离子水清洗，之后在80～90℃保温1～2小时，以去除表面油污等杂质；

(4)将经步骤(2)和(3)处理过的溅射靶材及玻片放入磁控溅射仪中，抽真空使得溅射室本底真空度达到1×10^-4Pa，然后持续充入纯度为99.999％的氩气和99.99％的氧气的混合气体，接着对靶材预溅射5min，去除表面杂质后，保持玻璃基底温度25～100℃，再对靶材进行溅射，制得溅射态薄膜；

(5)将(4)步骤所得薄膜放入热处理炉中，在温度为400～600℃，保温0.5～3小时的条件下进行热处理，之后将样品冷却至室温，即得钽掺杂氧化锡透明导电薄膜。

2、按权利要求1所述的一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中钽掺杂氧化锡溅射靶材的成分是：靶材中Ta₂O₅的质量百分含量(wt.％)控制在1～10％，其余为SnO₂。

3、按权利要求1所述的一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中的薄膜溅射工艺条件是：溅射功率50～400W，溅射过程中，控制溅射室内氩气压力为0.4～1Pa，氧气分压为0.5～1.5Pa，溅射时间15～50min。

4、按权利要求1所述的一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤(5)中的热处理气氛为空气、氮气或氩气。