[发明专利]表面改性的羟基磷灰石晶须及其制备方法和应用无效
申请号: | 200810058678.X | 申请日: | 2008-07-14 |
公开(公告)号: | CN101327167A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 陈庆华;张文云;高伟;袁艳波 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | A61K6/033 | 分类号: | A61K6/033 |
代理公司: | 昆明今威专利代理有限公司 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650093云南省昆明市*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 改性 羟基 磷灰石 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种表面改性羟基磷灰石晶须在制备牙科聚合物基填充、修复材料中的应用,其特征在于:加入聚合物基体中,并加入硅烷偶联剂,用热固化或光固化的方法制得牙科修复填充材料,直接或间接用于牙齿龋洞的修复;
所述羟基磷灰石晶须长度为5~150μm,直径为0.1~5μm,长径比为10~150,晶须表面包覆有Si-O网络,其硅含量为晶须总质量的1wt%~40wt%;
表面改性羟基磷灰石晶须的制备方法为:首先制备羟基磷灰石晶须,之后在晶须的乙醇悬浮液中加入正硅酸乙酯,并加入水使其水解,使晶须表面包覆Si-0网络,之后根据需要利用含氟化合物在晶须中引入或不引入F-离子;
所述含氟化合物选自:氢氟酸、氟化钙、氟化钠、氟硅酸、氟硅酸钠,改性后晶须应满足有效氟含量为晶须总质量的0.001wt%~1wt%;
所述的正硅酸乙酯,在乙醇溶液中的浓度范围为0.1wt%~50wt%,
其改性后晶须加入的质量为填充物总质量的10wt%~80wt%。
2.根据权利要求1所述的表面改性羟基磷灰石晶须在制备牙科聚合物基填充、修复材料中的应用,其特征在于:所述聚合物为双酚A-甲基丙烯酸缩水甘油酯树脂,二甲基丙烯酸氨基甲酸乙酯类树脂,三乙二醇二甲基丙烯酸酯按不同比例混合形成的聚合物,晶须加入的质量应为填充物总质量的10wt%~80wt%。
3.根据权利要求1或2所述的表面改性羟基磷灰石晶须在制备牙科聚合物基填充、修复材料中的应用,其特征是,改性后晶须加入的质量为填充物总质量的50wt%~70wt%。
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