[发明专利]高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料及制备方法有效
| 申请号： | 200810059171.6 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101483092A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 颜冲;吕东华;雷国莉;包大新 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/34 | 分类号： | H01F1/34;C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江省东阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 饱和 密度 损耗 磁铁 材料 制备 方法 | ||
1.一种高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料的制备方法，其步骤包括：
A、原材料进行湿式混合，然后预烧；
B、加入添加剂，湿式砂磨，得到铁氧体料浆，然后喷雾造粒；
C、把成型体在控制氧分压的条件下从1000℃升温至保温温度，升温速率为4～7℃/分钟，所述氧分压浓度为0.005％～1％；
D、在保温温度下保温0.5小时～11小时，
其中，所述的高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料，其组份为按Fe2O3、MnO、ZnO总量计算的含有53.4～54.6mol％的Fe2O3、2～9mol％的ZnO和37.6～43.4mol％的MnO，并且含有以下的副成分：
按SiO2计算的含量为150～200ppm的SiO2，
按CaCO3计算的含量为600～1200ppm的CaCO3，
按ZrO2计算的含量为150～250ppm的ZrO2，
按Nb2O5计算的含量为150～200ppm的Nb2O5，
按Na2O计算的含量为100～200ppm的Na2O，
以上副成分的含量为相对于Fe2O3、MnO、ZnO的总量以重量百分比计算。
2.根据权利要求1所述的高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于：所述的C步骤与D步骤中，保温温度为1250℃～1350℃。
3.根据权利要求1所述的高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于：所述的D步骤中，保温时的氧分压浓度为1％～8％。
4.根据权利要求1所述的高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于：制得的高饱和磁通密度低损耗软磁铁氧体材料在100℃下的饱和磁通密度在440mT以上，损耗在350kW/m3以下。
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