[发明专利]用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法

权利要求书

1.用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征是包括以下步骤：

1)将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂，配制质量浓度为2-200mg/ml的纳米晶溶液；

2)采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上，形成均匀的纳米晶薄膜；

3)将纳米晶薄膜在100-350℃温度下退火处理10-60分钟，然后在纳米晶薄膜上蒸镀电极。

2.根据权利要求1所述的紫外探测器的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征在于所说的半导体纳米晶材料是ZnO纳米晶、掺Mg的ZnO纳米晶、或掺Al的ZnO纳米晶。

3.根据权利要求1所述的紫外探测器的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征在于所说的溶剂是氯仿、苯、四氢呋喃或氯苯。

4.根据权利要求1所述的紫外探测器的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征是纳米晶薄膜的厚度在0.01-100μm。

5.根据权利要求1所述的紫外探测器的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征在于所说的衬底为Si、SiO₂/Si、玻璃、ITO玻璃、石英、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。

6.根据权利要求1所述的紫外探测器的纳米晶薄膜器件的制备方法，其特征在于所说的电极为Au、Ag、Al、Cu、In、Cr或ITO，电极的厚度为30-200nm。