[发明专利]基于狭缝波导的马赫－曾德型硅光波导开关无效
| 申请号： | 200810061435.1 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101276068A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 肖司淼;王翔;王帆;郝寅雷;江晓清;王明华;杨建义 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/065 | 分类号： | G02F1/065;G02B6/35;H04B10/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 狭缝 波导 马赫 曾德型硅光 开关 | ||
1、一种基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关，其特征在于：包括输入端实现功分功能的3dB耦合器(1)、输出端干涉耦合器(4)，两条狭缝波导结构的干涉臂(3)和两组模斑转换结构(2)；输入端实现功分功能的3dB耦合器(1)分波后，经第一组两个模斑转换结构(2)分别连接到两条狭缝波导结构的干涉臂(3)，再经第二组两个模斑转换结构(2)后，连接到输出端干涉耦合器(4)。
2、根据权利要求1所述的一种基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关，其特征在于：所述的两条狭缝波导结构干涉臂(3)的狭缝(6)中填充的电光材料为电光聚合物或液晶。
3、根据权利要求1所述的一种基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关，其特征在于：所述的模斑转换结构(2)是引入单根硅波导组成的锥形渐变波导对(8)，或者同时引入两根硅波导组成的锥形渐变波导对(9)。
4、根据权利要求1所述的一种基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关，其特征在于：所述的3dB耦合器(1)为1×2多模干涉耦合器(16)、2×2多模干涉耦合器(14)、Y分支(10)或方向耦合器(17)；干涉耦合器(4)为2×2多模干涉耦合器(15)、X结(11)或方向耦合器(17)；不同的3dB耦合器(1)和不同的干涉耦合器(4)间其相互组合分别构成1×2和2×2的光波导光开关。
5、根据权利要求1所述的一种基于狭缝波导的马赫-曾德型硅光波导开关，其特征在于：由所述的干涉臂狭缝(6)两侧的硅波导(5)作为对狭缝中电光材料实施调制的电极。
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