[发明专利]锡铝合金表面原位生长耐磨减摩陶瓷膜层的方法无效
| 申请号： | 200810063914.7 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101220494A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 姜兆华;王志江;王福平 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 徐爱萍 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铝合金 表面 原位 生长 耐磨 陶瓷膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.锡铝合金表面原位生长耐磨减摩陶瓷膜层的方法，其特征在于它的步骤如下：
步骤一：将2～12g/L的硅酸钠和0～2g/L的氟化钠溶于蒸馏水中制成电解液；
步骤二：将去掉氧化膜的锡铝合金置于电解液作为阳极，不锈钢板作为阴极，控制电解液的温度为15～40℃；接通电源，调整峰值电压在-200～600V之间、正负相电流密度值为8～30A/dm2，频率为50～200Hz，通电反应时间为5～40min；
步骤三：取出后用水冲净表面，自然干燥或在80～100℃下烘干。
2.根据权利要求1所述的锡铝合金表面原位生长耐磨减摩陶瓷膜层的方法，其特征在于步骤一中去除氧化膜采用化学出光前处理方式或用SiC砂纸打磨的方式。
3.根据权利要求1所述的锡铝合金表面原位生长耐磨减摩陶瓷膜层的方法，其特征在于步骤二中的锡铝合金中锡含量为3％～30％。
4.根据权利要求1所述的锡铝合金表面原位生长耐磨减摩陶瓷膜层的方法，其特征在于步骤一中的4～10g/L的硅酸钠。
5.根据权利要求1所述的锡铝合金表面原位生长耐磨减摩陶瓷膜层的方法，其特征在于步骤一中的1～2g/L的氟化钠。
6.根据权利要求1所述的锡铝合金表面原位生长耐磨减摩陶瓷膜层的方法，其特征在于步骤一中的5～9g/L的硅酸钠和1～1.5g/L的氟化钠。
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