[发明专利]磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法

权利要求书

1、磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于该方法的步骤如下：

步骤一、KDP晶体抛光装置由抛光垫(1)、潮解抛光液滴加器(2)、抛光盘(3)和载样盘(5)组成，抛光垫(1)设在抛光盘(3)的上表面上，载样盘(5)设在抛光盘(3)的上方，载样盘(5)和抛光盘(3)分别与转动机构连接，并且相向设置；

步骤二、将KDP晶体(4)坯料固定在载样盘(5)的底端面上，采用现有切削技术对KDP晶体(4)坯料的待抛光面进行预处理；

步骤三、启动压力控制开关对载样盘(5)纵向施加压力，压力值根据KDP晶体待抛光面尺寸大小而定；

步骤四、通过潮解抛光液滴加器(2)向KDP晶体(4)坯料下方的抛光垫(1)的上表面滴加潮解抛光液，潮解抛光液由水和乙醇配制而成，水和乙醇的体积比为1～3∶7～9；

步骤五、启动载样盘(5)的控制开关和抛光盘(3)的控制开关，使载样盘(5)和抛光盘(3)相对旋转，对经步骤二预处理后的KDP晶体的表面进行潮解抛光，在抛光过程中对KDP晶体抛光表面用原子力显微镜AFM或干涉仪进行检测，当AFM或干涉仪检测得到的KDP晶体抛光表面的粗糙度值为1～8nm时，即完成对KDP晶体的抛光。

2、根据权利要求1所述的磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于步骤四中潮解抛光液水和乙醇的体积比为2∶8。

3、根据权利要求1所述的磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于步骤三中当KDP晶体待抛光面尺寸为18mm×12mm时，对载样盘(5)纵向施加压力为0.14MPa。

4、根据权利要求1所述的磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于一方面利用含水的潮解抛光介质对KDP晶体表面施加潮解作用，另一方面利用抛光垫对KDP晶体表面施加机械作用，通过抛光垫的机械作用去除KDP晶体表面的潮解层，从而实现KDP晶体的潮解抛光。

5、磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于该方法的步骤如下：

步骤一、KDP晶体抛光装置由抛光垫(1)、抛光盘(3)、载样盘(5)、密封罩(6)、水蒸气输入管道(7)和水蒸气回收管道(8)组成，抛光垫(1)设在抛光盘(3)的上表面上，载样盘(5)设在抛光盘(3)的上方，密封罩(6)将抛光盘(3)和载样盘(5)罩住，水蒸气输入管道(7)设在密封罩(6)的右上方，水蒸气回收管道(8)设在密封罩(6)的左下方，载样盘(5)和抛光盘(3)分别与转动机构连接，并且相向设置；

步骤二、将KDP晶体(4)坯料固定在载样盘(5)的底端面上，采用现有切削技术对KDP晶体(4)坯料的待抛光面进行预处理；

步骤三、启动压力控制开关对载样盘(5)纵向施加压力，压力值根据KDP晶体待抛光面尺寸大小而定；

步骤四、通过水蒸气输入管道(7)向密封罩(6)内输入温度高于水的沸点1～8℃的常压水蒸气，使水蒸气对步骤二预处理后的KDP晶体表面进行潮解；

步骤五、启动载样盘(5)的控制开关和抛光盘(3)的控制开关，使载样盘(5)和抛光盘(3)相对旋转，对经步骤二预处理后的KDP晶体的表面进行潮解抛光，在抛光过程中对KDP晶体抛光表面用原子力显微镜AFM或干涉仪进行检测，当AFM或干涉仪检测得到的KDP晶体抛光表面的粗糙度值为1～8nm时，即完成对KDP晶体的潮解抛光。

6、根据权利要求5所述的磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于步骤三中当KDP晶体待抛光面尺寸为18mm×12mm时，对载样盘(5)纵向施加压力为0.14MPa。

7、根据权利要求5所述的磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，其特征在于一方面利用含水的潮解抛光介质对KDP晶体表面施加潮解作用，另一方面利用抛光垫对KDP晶体表面施加机械作用，通过抛光垫的机械作用去除KDP晶体表面的潮解层，从而实现KDP晶体的潮解抛光。